[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202110495917.3
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113675066A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: C·托馬斯;李士敬
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

等離子體處理腔室；

配置在所述等離子體處理腔室內的基片支承部；

與所述等離子體處理腔室結合，生成包含多個源循環的脈沖源RF信號的源RF生成部，各源循環具有源運行期間的時段內的源運行狀態和源運行期間后的源未運行期間的時段內的源未運行狀態；和

與所述基片支承部結合，生成脈沖偏置RF信號的偏置RF生成部，所述脈沖偏置RF信號具有具備與所述多個源循環相同的脈沖頻率的多個偏置循環，各偏置循環具有偏置運行期間的時段內的偏置運行狀態和偏置運行期間后的偏置未運行期間的時段內的偏置未運行狀態，

各偏置循環中的向偏置運行狀態的轉變時刻相對于對應的源循環中的向源運行狀態的轉變時刻延遲，所述源未運行期間與所述偏置未運行期間重疊，各偏置循環中的偏置運行期間與下一次源循環中的源運行期間重疊。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述源運行狀態包括至少兩個源功率電平，

所述偏置運行狀態包括至少兩個偏置功率電平。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述源運行狀態具有第一源功率電平和所述第一源功率電平之后的第二源功率電平，

所述偏置運行狀態具有第一偏置功率電平和所述第一偏置功率電平之后的第二偏置功率電平，

所述脈沖偏置RF信號在各源循環中的所述源未運行期間中向所述偏置運行狀態轉變。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述脈沖偏置RF信號在各源循環中的所述源未運行期間中從所述第一偏置功率電平向所述第二偏置功率電平轉變。

5.如權利要求3或4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

從各源循環中的所述第一源功率電平向所述第二源功率電平的轉變與從各偏置循環中的所述偏置運行狀態向所述偏置未運行狀態的轉變實質上同步。

6.如權利要求3～5中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一源功率電平比所述第二源功率電平大。

7.如權利要求3～5中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一源功率電平比所述第二源功率電平小。

8.如權利要求3～7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第二偏置功率電平比所述第一偏置功率電平大。

9.如權利要求3～7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第二偏置功率電平比所述第一偏置功率電平小。

10.一種等離子體處理方法，其為在等離子體處理裝置中所使用的等離子體處理方法，

所述等離子體處理裝置包括等離子體處理腔室、配置在所述等離子體處理腔室的上方的天線、與所述天線結合而生成第一RF功率的第一RF生成部、配置在所述等離子體處理腔室內的基片支承部和與所述基片支承部結合而生成第二RF功率的第二RF生成部，

該等離子體處理方法的特征在于，包括：

在第一期間中，將第一RF功率供給到所述天線，將第二RF功率供給到所述基片支承部的步驟；

在所述第一期間后的第二期間中，將第一RF功率供給到所述天線，停止對所述基片支承部供給所述第二RF功率的步驟；

在所述第二期間后的第三期間中，停止對所述天線供給所述第一RF功率，停止對所述基片支承部供給第二RF功率的步驟；

在所述第三期間后的第四期間中，不對所述天線供給RF功率而將所述第二RF功率供給到所述基片支承部的步驟。