[發(fā)明專利]用于侵入式可部署裝置的方法和系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110495400.4 | 申請日： | 2021-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN113647974A | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 愛德華·達(dá)克魯茲;吉安多納托·史泰龍;弗拉維安·達(dá)洛茲 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣精準(zhǔn)醫(yī)療有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | A61B8/00 | 分類號： | A61B8/00;A61B8/08;A61B8/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖;錢慰民 |
| 地址： | 美國威*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 侵入 部署 裝置 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種可部署侵入式裝置，包括：
換能器，所述換能器包括由形狀記憶材料間隔開的多個(gè)換能器陣列，所述換能器被構(gòu)造成在第一折疊形狀和第二展開形狀之間轉(zhuǎn)變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中所述形狀記憶材料為形狀記憶聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中所述形狀記憶材料為具有雙向形狀記憶的形狀記憶聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中所述多個(gè)換能器陣列中的每個(gè)換能器陣列通過所述形狀記憶材料鏈接到相鄰換能器陣列，并且其中所述形狀記憶材料被構(gòu)造成通過以下方式中的至少一者來耦接到所述換能器：附接到所述多個(gè)換能器陣列的邊緣，以及在所述多個(gè)換能器陣列下方形成完全橫跨所述換能器延伸的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中集成電路耦接到所述多個(gè)換能器陣列中的每個(gè)換能器陣列，并且其中所述陣列在所述第一折疊形狀和所述第二展開形狀兩者中都間隔開。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中所述第二展開形狀的有效區(qū)域的長度或?qū)挾确謩e大于所述第一折疊形狀的有效區(qū)域的長度或?qū)挾取?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中當(dāng)處于所述第一折疊形狀時(shí)，所述形狀記憶材料在所述多個(gè)換能器陣列中的每個(gè)換能器陣列之間彎曲，并且其中所述多個(gè)換能器陣列沿所述換能器的垂直軸線堆疊并且在所述第一折疊形狀和所述第二展開形狀兩者中都間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中當(dāng)所述換能器處于所述第二展開形狀時(shí)，所述形狀記憶材料比當(dāng)所述換能器處于所述第一折疊形狀時(shí)更少地彎曲。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可部署侵入式裝置，其中所述形狀記憶材料被構(gòu)造成經(jīng)歷多于一種類型的形狀轉(zhuǎn)變，并且其中所述多于一種類型的形狀轉(zhuǎn)變包括彎曲和收縮。
10.一種用于成像導(dǎo)管的換能器，所述換能器包括：
第一換能器陣列；和
第二換能器陣列，所述第二換能器陣列通過形狀記憶聚合物(SMP)耦接到所述第一換能器陣列，其中所述SMP被構(gòu)造成改變形狀以響應(yīng)于第一刺激使所述換能器轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝粠缀涡螤睿⑶翼憫?yīng)于第二刺激使所述換能器展開為第二幾何形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的換能器，其中所述SMP布置在所述第一換能器陣列和所述第二換能器陣列之間，并且被構(gòu)造成在所述換能器處于所述第一幾何形狀時(shí)彎曲或折疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的換能器，其中當(dāng)所述換能器處于所述第一幾何形狀時(shí)，所述第一換能器陣列相對于所述第二換能器陣列通過第一旋轉(zhuǎn)方向樞轉(zhuǎn)并且堆疊在所述第二換能器陣列上方。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的換能器，其中當(dāng)所述換能器從所述第一幾何形狀調(diào)節(jié)到所述第二幾何形狀時(shí)，所述第一換能器陣列相對于所述第二換能器陣列在與所述第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向上樞轉(zhuǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的換能器，其中所述第一換能器陣列和所述第二換能器陣列在所述第二幾何形狀中共面，并且當(dāng)所述換能器從所述第一幾何形狀調(diào)節(jié)到所述第二幾何形狀時(shí)，所述換能器的有效區(qū)域增加。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的換能器，還包括第三換能器陣列，所述第三換能器陣列在所述第二換能器陣列的與所述第一換能器陣列的相對側(cè)處通過所述SMP耦接到所述第二換能器陣列，并且其中所述SMP布置在所述第二換能器陣列和所述第三換能器陣列之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于通用電氣精準(zhǔn)醫(yī)療有限責(zé)任公司，未經(jīng)通用電氣精準(zhǔn)醫(yī)療有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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