[發明專利]一種嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件在審
| 申請號： | 202110495302.0 | 申請日： | 2021-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN113311631A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 李國強 |
| 主分類號： | G02F1/35 | 分類號： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250000 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 嵌入 拓撲 絕緣體 波長 轉換 器件 | ||
1.一種嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于，包括基底、第一貴金屬部、第二貴金屬部、拓撲絕緣體，所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部置于所述基底上，所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部之間設有間隙，所述第一貴金屬部、所述間隙、所述第二貴金屬部構成金屬-介質-金屬波導，所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部靠近所述間隙處分別設有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔對稱地設置在所述間隙的兩側，所述拓撲絕緣體填充滿所述第一空腔和所述第二空腔。
2.如權利要求1所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述拓撲絕緣體與所述間隙的距離小于10納米。
3.如權利要求2所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述第一空腔和所述第二空腔為長方形，所述長方形的長邊方向沿所述金屬-介質-金屬波導的方向。
4.如權利要求3所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔處，所述間隙寬。
5.如權利要求4所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔處，所述間隙為弧形。
6.如權利要求4所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔處，所述間隙為矩形。
7.如權利要求1-6任一項所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述第一貴金屬部和所述第二貴金屬部的材料為金或銀。
8.如權利要求7所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述間隙的寬度小于60納米。
9.如權利要求8所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述基底的材料為二氧化硅。
10.如權利要求9所述的嵌入型拓撲絕緣體波長轉換器件，其特征在于：所述拓撲絕緣體為Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Se3、Sb2Te3、InSb、Li2IrO3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于李國強，未經李國強許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110495302.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
