[發(fā)明專利]一種針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110495221.0 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113191110B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁冬梅 | 申請(專利權(quán))人: | 瓴盛科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/392 | 分類號: | G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398;G06F115/12 |
| 代理公司: | 泰和泰律師事務(wù)所 51219 | 代理人: | 謝執(zhí)勝 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 針對 拓?fù)?/a> 結(jié)構(gòu) ddr4 地址 控制 映射 ball 排列 方法 | ||
本發(fā)明提供一種針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法,滿足信號質(zhì)量和時序裕度要求。本發(fā)明的映射和排列方法特征在于:根據(jù)過孔位置的排布,過孔相鄰的地址/控制線映射時分配在一個組內(nèi);即在DDR控制器的配置時,共用一個延時配置。點對點的信號,對應(yīng)同一顆存儲器分配在一個組內(nèi)。DDR控制器的管腳排列,同一組內(nèi)的管腳排布位置相鄰,以保證延時相近。同一個組內(nèi)的地址/控制信號,在相同的內(nèi)層走線。綜合眼圖質(zhì)量最優(yōu),在實現(xiàn)時序裕度最大化的同時又能降低PCB繞等長的難度。在不需要專門PCB等長處理的同時,滿足地址/控制線時序裕度的最大化,簡化PCB設(shè)計,縮小布線面積的同時保證硬件設(shè)計的一致性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及片上系統(tǒng)(SOC)封裝排布和地址映射領(lǐng)域,具體涉及針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法。
背景技術(shù)
隨著系統(tǒng)主頻提升,高清攝像頭的應(yīng)用,以及越來越多的算法應(yīng)用,比如人臉識別,手機,智能攝像頭系統(tǒng)的數(shù)據(jù)速率變得越來越高。系統(tǒng)中所使用的DDR存儲器速率也隨之提升,并且存儲器的數(shù)目也增多。隨之而來的就是速率提升帶來的信號完整性問題,多顆存儲器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也使得信號極具惡化,業(yè)內(nèi)常用的兩種地址/控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)各有優(yōu)缺點:
T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),常用于兩片存儲器的方案,不適用于多片。Fly-by結(jié)構(gòu),多用于多片的方案,片數(shù)越多,信號惡化越明顯,需要對分支和主線的阻抗做特殊設(shè)計以滿足阻抗匹配,同時分支的長度對速率影響明顯。本文中所探討的T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的方案,多用于同時驅(qū)動兩片存儲器的場景,相比較于Fly-by結(jié)構(gòu),T型結(jié)構(gòu)的布局布線面積更小。它的缺點在于,在高速的應(yīng)用場景下,T型結(jié)構(gòu)的分叉點到兩個存儲器的延時差同時影響到眼圖的質(zhì)量和建立保持時間的裕度。為了保證設(shè)計滿足要求信號質(zhì)量和時序裕度,就需要控制分支等延時,同時控制組內(nèi)多跟信號線的延時差,對PCB設(shè)計要求嚴(yán)格會導(dǎo)致布線面積加大。同時容易被忽視的是,由于PCB外層和內(nèi)層的單位長度的走線延時不同,就會導(dǎo)致看起來等長的走線,實際上延時并不一致,信號質(zhì)量控制的要求交付到客戶有不可控因素。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法,滿足信號質(zhì)量和時序裕度要求。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
本發(fā)明提供一種針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法,其特征在于:根據(jù)過孔位置的排布,過孔相鄰的地址/控制線映射時分配在一個組內(nèi);即在DDR控制器的配置時,共用一個延時配置。
優(yōu)選的,點對點的信號,對應(yīng)同一顆存儲器分配在一個組內(nèi)。
優(yōu)選的,DDR控制器的管腳排列,同一組內(nèi)的管腳排布位置相鄰,以保證延時相近。
優(yōu)選的,同一個組內(nèi)的地址/控制信號,在相同的內(nèi)層走線。
本發(fā)明的有益效果在于:綜合眼圖質(zhì)量最優(yōu),在實現(xiàn)時序裕度最大化的同時又能降低PCB繞等長的難度,減小PCB走線面積。在不需要專門PCB等長處理的同時,滿足地址/控制線時序裕度的最大化,簡化PCB設(shè)計,縮小布線面積的同時保證硬件設(shè)計的一致性。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法應(yīng)用案例;
圖2是本發(fā)明的針對T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的DDR4地址控制線映射和Ball排列方法針對的T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合實施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
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