[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體封裝器件及功率變換器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110494785.2 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113421863B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳東;石磊;劉云峰 | 申請(專利權(quán))人: | 華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/06;H01L23/48;H02M1/00;H02M7/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強;李稷芳 |
| 地址: | 518043 廣東省深圳市福田區(qū)香蜜湖街道香*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 半導(dǎo)體 封裝 器件 變換器 | ||
1.一種功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,包括:
功率半導(dǎo)體晶圓;
導(dǎo)熱層,包括層疊的上導(dǎo)熱層、絕緣層和下導(dǎo)熱層;所述絕緣層位于所述上導(dǎo)熱層和所述下導(dǎo)熱層之間;所述上導(dǎo)熱層與所述功率半導(dǎo)體晶圓貼合;
散熱器,包括第一外表面,所述第一外表面與所述下導(dǎo)熱層貼合;
密封件,用于包裹和密封所述功率半導(dǎo)體晶圓、以及至少部分所述導(dǎo)熱層;
管腳,包括連接段和延伸段,所述連接段與所述功率半導(dǎo)體晶圓電連接,并同樣包裹于所述密封件內(nèi);所述延伸段位于所述密封件之外,延伸段在散熱器上的投影,至少部分位于第一外表面之內(nèi),且所述延伸段與所述第一外表面之間的最近距離,大于所述功率半導(dǎo)體晶圓的最高工作電壓所對應(yīng)的爬電距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述連接段沿自身長度方向具有相對的第一端和第二端,所述第一端與所述功率半導(dǎo)體晶圓電連接,所述第二端與所述延伸段連接,且所述第一端與所述第一外表面之間的距離,小于所述第二端與所述第一外表面之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述管腳與所述上導(dǎo)熱層固定連接,以實現(xiàn)所述管腳與所述功率半導(dǎo)體晶圓之間的電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述功率半導(dǎo)體晶圓包括第一功能端口,所述第一功能端口位于所述功率半導(dǎo)體晶圓靠近所述上導(dǎo)熱層一側(cè),所述第一功能端口通過所述上導(dǎo)熱層與所述管腳電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述功率半導(dǎo)體晶圓還包括第二功能端口,所述上導(dǎo)熱層包括相互隔離的第一導(dǎo)熱區(qū)和第二導(dǎo)熱區(qū),所述管腳的數(shù)量為兩個,所述第一功能端口通過所述第一導(dǎo)熱區(qū)與一個所述管腳導(dǎo)通,所述第二功能端口通過所述第二導(dǎo)熱區(qū)與另一個所述管腳導(dǎo)通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述功率半導(dǎo)體封裝器件包括連接線,所述連接線連接于所述第二功能端口與所述第二導(dǎo)熱區(qū)之間,以實現(xiàn)所述第二功能端口與固定于所述第二導(dǎo)熱區(qū)上的所述管腳之間的電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述連接線包括第一段和第二段,所述上導(dǎo)熱層還包括中間導(dǎo)熱區(qū),所述第一段連接于所述第二功能端口與所述中間導(dǎo)熱區(qū)之間,所述第二段連接于所述中間導(dǎo)熱區(qū)與所述第二導(dǎo)熱區(qū)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述功率半導(dǎo)體封裝器件還包括絕緣件,所述絕緣件位于所述第一外表面與所述延伸段之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,其特征在于,所述第一外表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述下導(dǎo)熱層于所述第一區(qū)域與所述第一外表面貼合,所述延伸段在所述第一外表面上的投影位于所述第二區(qū)域之內(nèi);在所述功率半導(dǎo)體晶圓與所述導(dǎo)熱層層疊的方向上,所述延伸段與所述第一區(qū)域之間的距離,小于所述延伸段與所述第二區(qū)域之間的距離。
10.一種功率變換器,其特征在于,包括至少一個如權(quán)利要求1-9任一項所述的功率半導(dǎo)體封裝器件,以及一個控制器,所述控制器用于控制所述至少一個功率半導(dǎo)體封裝器件的導(dǎo)通和關(guān)斷以進行功率變換。
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