[發明專利]減振裝置、半導體加工設備和減振方法

有效

• 申請號: 202110494207.9
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113220047B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 杜文豪
• 申請（專利權）人: 上海御微半導體技術有限公司
• 主分類號: G05D19/02
• 分類號: G05D19/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 安衛靜

1.一種減振裝置，其特征在于，應用于半導體加工設備，所述裝置包括：反力外引裝置和主動減振單元；所述反力外引裝置包括：反力外引控制單元和執行器，所述主動減振單元包括：主動減振器和被動減振器；

所述反力外引控制單元，用于接收第一加速度傳感器檢測的所述半導體加工設備的吊框的加速度信息，并根據所述吊框的加速度信息計算第一目標力；

所述反力外引控制單元，還用于獲取所述半導體加工設備的運動臺的運動狀態，根據所述運動狀態確定所述反力外引裝置的第一目標工作模式，并根據所述第一目標工作模式和所述第一目標力控制所述執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架進行出力，其中，所述第一目標工作模式為以下任一種：靜默工作模式、半功率工作模式和全功率工作模式；

所述主動減振器，用于接收第二加速度傳感器檢測的所述半導體加工設備所處位置的地基的加速度信息，并獲取所述吊框的位移信息和速度信息，根據所述地基的加速度信息、所述吊框的位移信息和速度信息計算第二目標力；

所述主動減振器，還用于獲取所述運動臺的運動狀態，根據所述運動狀態確定所述主動減振器的第二目標工作模式，并根據所述第二目標工作模式和所述第二目標力對所述半導體加工設備的基礎框架和主基板進行出力，其中，所述第二目標工作模式為以下任一種：所述主動減振器中的前饋控制單元、速度環控制單元和位置環控制單元全部全功率工作，或者，所述主動減振器中的前饋控制單元全功率工作，且所述速度環控制單元和所述位置環控制單元靜默工作；

所述被動減振器，用于隔離來自所述地基的振動。

2.根據權利要求1所述的減振裝置，其特征在于，所述執行器包括：定子和動子；

所述定子與所述基礎框架接觸，所述動子與所述吊框接觸。

3.根據權利要求1所述的減振裝置，其特征在于，所述運動狀態包括以下任一種：加速運動狀態、勻速運動狀態、減速運動狀態、穩定運動狀態和靜止狀態。

4.一種半導體加工設備，其特征在于，包括：半導體加工設備本體和上述權利要求1至3中任一項所述的減振裝置，還包括：第一加速度傳感器和第二加速度傳感器。

5.一種減振方法，其特征在于，應用于上述權利要求1至3中任一項所述的反力外引控制單元，所述方法包括：

獲取半導體加工設備的吊框的加速度信息，并根據所述吊框的加速度信息計算第一目標力；

獲取所述半導體加工設備的運動臺的運動狀態，并根據所述運動狀態確定第一目標工作模式，其中，所述第一目標工作模式為以下任一種：靜默工作模式、半功率工作模式和全功率工作模式；

根據所述第一目標工作模式和所述第一目標力控制執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架進行出力。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，根據所述運動狀態確定第一目標工作模式，包括：

當所述運動狀態為加速運動狀態時，所述第一目標工作模式為全功率工作模式；

當所述運動狀態為勻速運動狀態時，所述第一目標工作模式為半功率工作模式；

當所述運動狀態為減速運動狀態時，所述第一目標工作模式為全功率工作模式；

當所述運動狀態為穩定運動狀態時，所述第一目標工作模式為靜默工作模式；

當所述運動狀態為靜止狀態時，所述第一目標工作模式為靜默工作模式。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，根據所述第一目標工作模式和所述第一目標力控制執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架進行出力，包括：

當所述第一目標工作模式為靜默工作模式時，控制所述執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架以所述第一目標力的第一比例進行出力，其中，所述第一比例的范圍為：0-15％；

當所述第一目標工作模式為半功率工作模式時，控制所述執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架以所述第一目標力的第二比例進行出力，其中，所述第二比例的范圍為：40％-60％；

當所述第一目標工作模式為全功率工作模式時，控制所述執行器對所述半導體加工設備的吊框和基礎框架以所述第一目標力的第三比例進行出力，其中，所述第三比例的范圍為：90％-100％。