[發(fā)明專(zhuān)利]接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110493713.6
• 申請(qǐng)日: 2021-05-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114156345A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 巴提·莫尼卡;陳柏安
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/808
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/808;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 周永君;葉明川

1.一種接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：

一基底，具有第一導(dǎo)電型；

一外延層，形成于所述基底上，具有第二導(dǎo)電型；

一源極區(qū)域與一漏極區(qū)域，分別設(shè)置于所述外延層的表面內(nèi)，所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電型；

一柵極區(qū)域，形成于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的所述外延層的所述表面內(nèi)，且所述柵極區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電型；

一第一內(nèi)埋層，位于所述柵極區(qū)域正下方的所述外延層與所述基底之間，所述第一內(nèi)埋層具有所述第二導(dǎo)電型；以及

一第二內(nèi)埋層，位于所述外延層與所述基底之間，所述第二內(nèi)埋層在所述外延層上的垂直投影是在所述柵極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間且不與所述柵極區(qū)域重疊，其中所述第二內(nèi)埋層具有所述第一導(dǎo)電型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源極區(qū)域的垂直投影與所述第二內(nèi)埋層部分重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一內(nèi)埋層與所述第二內(nèi)埋層相隔一預(yù)定距離，且所述預(yù)定距離小于或等于所述柵極區(qū)域的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一內(nèi)埋層在所述外延層上的垂直投影與所述柵極區(qū)域完全重疊，且所述第一內(nèi)埋層的長(zhǎng)度小于所述柵極區(qū)域的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第二內(nèi)埋層的長(zhǎng)度小于所述柵極區(qū)域的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電型為P型，所述第二導(dǎo)電型為N型。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，更包括一第一隔離結(jié)構(gòu)，形成于所述柵極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間，且所述第一隔離結(jié)構(gòu)的垂直投影與所述第二內(nèi)埋層部分重疊或完全重疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，更包括一第二隔離結(jié)構(gòu)，形成于所述柵極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，更包括一第一井區(qū)，設(shè)置于所述外延層內(nèi)，且所述柵極區(qū)域位于所述第一井區(qū)內(nèi)，其中所述第一井區(qū)具有所述第一導(dǎo)電型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接面場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，更包括一第二井區(qū)，設(shè)置于所述外延層內(nèi)，且所述漏極區(qū)域位于所述第二井區(qū)內(nèi)，其中所述第二井區(qū)具有所述第二導(dǎo)電型。