[發明專利]一種圖像傳感器及其制作方法

在審

• 申請號: 202110493668.4
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113161377A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 周雪梅;陳鴻
• 申請（專利權）人: 上海芯物科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底包括多個在第一方向上并排排列的感光區，所述感光區沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；

金屬互聯層，所述金屬互聯層位于所述硅基底的一側，所述金屬互聯層鄰近硅基底的表面分別與所述第一方向和所述第二方向平行；

反射層，所述反射層位于所述金屬互聯層遠離所述硅基底的一側，所述反射層用于將通過所述硅基底的光反射至感光區；

載片，所述載片位于所述反射層遠離所述金屬互聯層的一側。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述金屬互聯層包括介質層和設置在介質層中的多個金屬互聯結構；

所述金屬互聯結構與所述硅基底連接，且每一所述感光區對應一個所述金屬互聯結構。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述感光區為摻雜區；

所述感光區的材料包括硅摻磷、硅摻砷或者硅摻硼。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括濾光片和微透鏡；

所述濾光片位于所述硅基底遠離所述金屬互聯層的一側；

所述微透鏡位于所述濾光片遠離所述硅基底的一側。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述硅基底還包括隔離區；

所述隔離區位于所述硅基底靠近所述金屬互聯層的一側；

所述感光區位于相鄰兩個所述隔離區之間。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述硅基底在所述載片上的垂直投影與所述反射層在所述載片上的垂直投影重疊。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述硅基底的厚度范圍為2～3μm。

8.一種圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅襯底，所述硅襯底包括多個在第一方向上并排排列的感光區，所述感光區沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；

在所述硅襯底的一側制作金屬互聯層，使所述金屬互聯層鄰近硅襯底的表面分別與所述第一方向和所述第二方向平行；

提供一載片；

在所述載片一側制作反射層，使所述反射層將通過所述硅基底的光反射至感光區；

將反射層與金屬互聯層連接，使所述反射層位于所述金屬互聯層遠離所述硅襯底的一側；

對所述硅襯底遠離所述金屬互聯層的一側進行減薄形成硅基底。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，通過鍵合的方式使反射層與金屬互聯層連接，使所述反射層位于所述金屬互聯層遠離所述硅襯底的一側。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述硅襯底的厚度范圍為720～770μm；

所述硅基底的厚度范圍為2～3μm。