[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110493293.1 | 申請日: | 2021-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN113675236A | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 方琪皓;金恩惠;鄭銀愛;崔原碩 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李曉偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
襯底,具有用于顯示圖像的相鄰的第一區域和第二區域,所述第一區域包括透射區域和像素區域;
第一無機絕緣層,在所述透射區域和所述像素區域中,所述透射區域中的所述第一無機絕緣層的厚度小于所述像素區域中的所述第一無機絕緣層的厚度;
第二無機絕緣層,在所述第一無機絕緣層上以對應于所述像素區域,并且限定對應于所述透射區域的透射孔;
第一有機絕緣層,在所述第二無機絕緣層上;以及
第二有機絕緣層,在所述第一有機絕緣層上。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述透射孔由向內的臺階表面限定,所述臺階表面面對所述透射區域并且被所述第一有機絕緣層和所述第二有機絕緣層中的至少一個覆蓋。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一有機絕緣層和所述第二有機絕緣層中的至少一個在所述透射區域中接觸所述第一無機絕緣層。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一有機絕緣層直接接觸所述臺階表面。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述透射區域中的所述第一無機絕緣層的厚度為或更大。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第二無機絕緣層包括直接接觸所述第一無機絕緣層的緩沖層、在所述緩沖層上的柵極絕緣層以及在所述柵極絕緣層上的層間絕緣層。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,還包括在所述第一無機絕緣層和所述緩沖層之間的金屬層。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述金屬層被配置為接收恒定電壓。
9.根據權利要求6所述的顯示裝置,還包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管在所述像素區域中并且包括:
在所述緩沖層和所述柵極絕緣層之間的半導體層;
在所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層之間的柵電極;以及
在所述層間絕緣層和所述第一有機絕緣層之間的電極層。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,還包括:
在所述像素區域中的第一像素;以及
在所述第二區域中的第二像素,
其中,當所述第一像素和所述第二像素發射相同顏色時,所述第一像素的發射面積大于所述第二像素的發射面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





