[發(fā)明專利]低壓降穩(wěn)壓器及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110493249.0
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN114089799B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐浩桓;顏琳臻
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，包含：

放大器；

第一晶體管；

第二晶體管，耦接于所述放大器以及所述第一晶體管；以及

交換器，耦接于所述第一晶體管，其中當(dāng)所述低壓降穩(wěn)壓器的供電電壓值低于供電電壓閾值，所述交換器的第一路徑被選擇且第一交換器電壓值被傳送至所述第一晶體管以完全導(dǎo)通所述第一晶體管，且所述低壓降穩(wěn)壓器的輸出電壓值相等于所述供電電壓值，其中當(dāng)所述供電電壓值不低于所述供電電壓閾值，所述交換器的第二路徑被選擇且第二交換器電壓值被傳送至所述第一晶體管以關(guān)閉所述第一晶體管，且所述輸出電壓值是由所述第二晶體管以及所述放大器所調(diào)整。

2.如權(quán)利要求1所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第一交換器電壓值為0，且所述第二交換器電壓值為所述供電電壓值。

3.如權(quán)利要求1所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，所述第一晶體管以及所述第二晶體管為PMOS晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，當(dāng)所述輸出電壓值低于輸出電壓閾值，輸入至所述第二晶體管的放大器輸出值降低，其中當(dāng)所述輸出電壓值不低于所述輸出電壓閾值，輸入至所述第二晶體管的所述放大器輸出值升高。

5.如權(quán)利要求4所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，所述放大器的第一輸入端接收所述輸出電壓閾值，所述放大器的一第二輸入端接收所述輸出電壓值，且所述放大器的一輸出端輸出所述放大器輸出值。

6.如權(quán)利要求4所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，當(dāng)輸入至所述第二晶體管的所述放大器輸出值降低，所述輸出電壓值升高，且當(dāng)輸入至所述第二晶體管的所述放大器輸出值升高，所述輸出電壓值降低。

7.一種控制方法，適用于權(quán)利要求1所述的低壓降穩(wěn)壓器，其特征在于，所述控制方法包含：

當(dāng)供電電壓值低于供電電壓閾值時(shí)，傳送第一交換器電壓值至第一晶體管以完全導(dǎo)通所述第一晶體管，以使輸出電壓值相等于所述供電電壓值；以及

當(dāng)所述供電電壓值不低于所述供電電壓閾值時(shí)，傳送第二交換器電壓值至所述第一晶體管以關(guān)閉所述第一晶體管，以使所述輸出電壓值由第二晶體管以及放大器調(diào)整。

8.如權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述第一交換器電壓值為0且所述第二交換器電壓值為所述供電電壓值。

9.如權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，還包含：

選擇交換器的第一路徑以傳送所述第一交換器電壓值至所述第一晶體管；以及

選擇所述交換器的第二路徑以傳送所述第二交換器電壓值至所述第一晶體管。

10.如權(quán)利要求7所述的控制方法，其特征在于，由所述第二晶體管以及所述放大器調(diào)整所述輸出電壓值還包含：

當(dāng)所述輸出電壓值低于輸出電壓閾值時(shí)，降低輸入至所述第二晶體管的放大器輸出值；以及

當(dāng)所述輸出電壓值不低于輸出電壓閾值時(shí)，升高輸入至所述第二晶體管的所述放大器輸出值。

11.如權(quán)利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述第二晶體管的導(dǎo)通程度是反比例于所述放大器輸出值。

12.如權(quán)利要求10所述的控制方法，其特征在于，還包含：

由所述放大器的第一端接收所述輸出電壓閾值；

由所述放大器的第二端接收所述輸出電壓值；以及

依據(jù)所述輸出電壓值以及所述輸出電壓閾值輸出所述放大器輸出值。

13.如權(quán)利要求12所述的控制方法，其特征在于，還包含：

當(dāng)所述放大器輸出值降低時(shí)升高所述輸出電壓值；以及

當(dāng)所述放大器輸出值升高時(shí)降低所述輸出電壓值。