[發(fā)明專利]多個帶電粒子束的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110492081.1
• 申請日: 2017-01-27
• 公開（公告）號: CN113192815A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任偉明;劉學(xué)東;胡學(xué)讓;陳仲瑋
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H01J37/06
• 分類號: H01J37/06;H01J37/145;H01J37/147;H01J37/22;H01J37/28;G01N23/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

本公開的實(shí)施例涉及多個帶電粒子束的裝置。提出了一種具有尺寸、取向和入射角可變的總FOV的新多束裝置。新裝置提供了加速樣本觀察和使得更多樣本可觀察的更大靈活性。更具體地，作為在半導(dǎo)體制造工業(yè)中檢查和/或?qū)彶榫?掩模上的缺陷的產(chǎn)量管理工具，新裝置提供了實(shí)現(xiàn)高吞吐量和檢測更多種類的缺陷的更多可能性。

本申請是國際提交日為2017年1月27日(優(yōu)先權(quán)日2016年1月27日)、于2018年9月進(jìn)入中國國家階段、中國國家申請?zhí)枮?01780019776.X、發(fā)明名稱為“多個帶電粒子束的裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。

優(yōu)先權(quán)聲明

本申請要求Ren等人于2016年1月27日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國臨時申請No.62/287,626的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請涉及Ren等人于2016年3月9日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/065,342，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本申請涉及Ren等人于2016年3月23日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/078,369，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本申請涉及Liu等人于2016年5月10日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/150,858，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本申請涉及Li等人于2016年7月19日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/213,781，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本申請涉及Ren等人于2016年7月21日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/216,258，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本申請涉及Ren等人于2016年11月30日提交的題為“Apparatus of PluralCharged-Particle Beams”的美國申請No.15/365,145，其整體公開內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有多個帶電粒子束的裝置。更具體地，其涉及采用多個帶電粒子束來同時獲取在樣本表面上的觀察區(qū)內(nèi)的多個掃描區(qū)域的圖像的裝置。因此，該裝置可以用于在半導(dǎo)體制造工業(yè)中以高分辨率和高吞吐量檢查和/或?qū)彶榫?掩模上的缺陷。

背景技術(shù)

以下描述和示例不因在本背景部分中對它們的提及而被承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。

為了制造半導(dǎo)體IC芯片，圖案缺陷和/或不想要的粒子(殘留物)在制造工藝期間不可避免地出現(xiàn)在晶片/掩模的表面上，這在很大程度上減少了產(chǎn)量。因此，產(chǎn)量管理工具被用于檢查和/或?qū)彶槿毕莺土Ｗ印榱藵M足關(guān)于IC芯片的性能的越來越先進(jìn)的要求，具有越來越小的臨界特征尺寸的圖案已經(jīng)被采用。因此，具有光束的傳統(tǒng)產(chǎn)量管理工具歸因于衍射效應(yīng)而逐漸變得不能勝任，并且具有電子束的產(chǎn)量管理工具越來越多地被采用。相較于光子束，電子束具有更短的波長并且因此可能提供優(yōu)良的空間分辨率。當(dāng)前，具有電子束的產(chǎn)量管理工具采用具有單個電子束的掃描電子顯微鏡(SEM)的原理，并且如眾所周知的，它們的吞吐量不能勝任大批量生產(chǎn)。盡管增大束電流可以改善吞吐量，但是優(yōu)良的空間分辨率將因隨著束電流增大的庫侖效應(yīng)而從根本上惡化。