[發明專利]一種彩色高透光太陽能面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202110490652.8 | 申請日: | 2021-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN113206161B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 張群芳;任建強 | 申請(專利權)人: | 浙江合特光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 趙振祥 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀洲*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 彩色 透光 太陽能 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種彩色高透光太陽能面板,包括太陽能芯片(1),其特征在于:所述太陽能芯片(1)的上下表面粘結有彈性粘結層(2);所述彈性粘結層(2)粘結有鋼化玻璃板(3);所述鋼化玻璃板(3)上表面復合有第一功能性膠膜層(4);所述鋼化玻璃板(3)下表面復合有第二功能性膠膜層(4000);所述鋼化玻璃板(3)和第一功能性膠膜層(4)之間復合有有機玻璃板(5);所述第一功能性膠膜層(4)和第二功能性膠膜層(4000)結構相同;第一功能性膠膜層(4)是由包含以下重量份的原料制備而成:100份的TPU母粒、0.5-1.5份的鈦酸鉀晶須、0.5-2.0份的抗氧化劑;所述有機玻璃板(5)朝向鋼化玻璃板(3)的表面蝕刻形成有抗沖擊絲路(51);有機玻璃板(5)朝向鋼化玻璃板(3)的表面通過PVD物理氣相沉積工業形成有缺陷修復層(52);缺陷修復層(52)沉積厚度為300-8000nm。
2.根據權利要求1所述的一種彩色高透光太陽能面板,其特征在于:所述第一功能性膠膜層(4)包括依次復合于有機玻璃板(5)上表面的POE粘結層(41)、第一PET載體層(42)和第一納米涂層(43);所述第二功能性膠膜層(4000)包括依次復合于鋼化玻璃板(3)下表面的膠膜粘結層(401)、第二PET載體層(402)和第二納米涂層(403)。
3.根據權利要求1所述的一種彩色高透光太陽能面板,其特征在于:所述第一功能性膠膜層(4)包括依次復合于有機玻璃板(5)上表面的第一封裝熱熔膠涂層(44)、阻水納米涂層(45)、第三PET載體層(46)和HC/AF納米涂層(47);所述第二功能性膠膜層(4000)包括依次復合于鋼化玻璃板(3)下表面的第二封裝熱熔膠涂層(404)、電子束介質層鍍膜(405)和第四PET載體層(406)。
4.根據權利要求1所述的一種彩色高透光太陽能面板,其特征在于:所述第一功能性膠膜層(4)包括依次復合于有機玻璃板(5)上表面的POE粘結層(41)和第一防護層(9);所述第二功能性膠膜層(4000)包括依次復合于鋼化玻璃板(3)下表面的膠膜粘結層(401)和第二防護層(90);第一防護層(9)和第二防護層(90)結構相同;第一防護層(9)包括第一PET載體層(42)和第一納米涂層(43),第一納米涂層(43)復合于第一PET載體層(42)上下表面。
5.根據權利要求1所述的一種彩色高透光太陽能面板,其特征在于:所述第一功能性膠膜層(4)包括第一防水納米涂層(40)、POE粘結層(41)和第一PET載體層(42),第一防水納米涂層(40)復合于太陽能芯片(1)上表面;POE粘結層(41)粘結于有機玻璃板(5)上表面;第一PET載體層(42)粘結于POE粘結層(41)上表面;第二功能性膠膜層(4000)包括第二防水納米涂層(400)、膠膜粘結層(401)和第二PET載體層(402),第二防水納米涂層(400)復合于鋼化玻璃板(3)的外表面;膠膜粘結層(401)粘結于鋼化玻璃板(3)下表面;第二PET載體層(402)粘結于膠膜粘結層(401)下表面。
6.根據權利要求1所述的一種彩色高透光太陽能面板,其特征在于:所述鋼化玻璃板(3)是由包含以下重量份的原料制備而成:100份的玻璃粉、0.5-4.0份的氧化硼、2.0-10.0份的過氧化鈉、0.1-3.0份的過氧化鉀、3.0-15.0的氧化鋁、1.0-8.0份的增強粉體、3.0-20份的著色劑;所述增強粉體包括0.5-2.0份的方石型碳酸鈣晶須、0.5-3.0份的氧化鋅晶須、0.5-2.0份的氧化鋯;著色劑為有色金屬、有色金屬氧化物中的一種或者多種組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





