[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 202110489840.9
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113675219A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 李元世;全裕珍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 史迎雪;康泉

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；

薄膜晶體管，設置在所述基板上，其中所述薄膜晶體管包括包含溝道區的半導體層以及與所述溝道區重疊的柵電極；以及

存儲電容器，包括設置在所述溝道區上的下電極以及被設置成與所述下電極重疊的上電極，其中具有單個閉合曲線形狀的開口被限定為穿過所述上電極，

其中，在平面上，所述上電極包括各自暴露所述下電極的邊緣的第一凹陷部分和第二凹陷部分。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，

所述第一凹陷部分暴露所述下電極的第一邊緣部分，

所述第二凹陷部分暴露所述下電極的第二邊緣部分，并且

所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分在預定方向上彼此平行地被設置。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述第一邊緣部分的面積與所述第二邊緣部分的面積的和是恒定的。

4.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，由所述第一凹陷部分暴露的所述第一邊緣部分的第一邊緣長度與由所述第二凹陷部分暴露的所述第二邊緣部分的第二邊緣長度相同。

5.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，進一步包括：

掃描線，在第一方向上延伸，

其中所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分在所述第一方向上彼此平行地被設置，并且

所述溝道區與從所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分中選擇的至少一個重疊。

6.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，進一步包括：

掃描線，在第一方向上延伸，

其中所述第一邊緣部分和所述第二邊緣部分在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此平行地被設置。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，進一步包括：

節點連接線，通過所述開口連接到所述下電極，其中

所述薄膜晶體管包括補償薄膜晶體管，并且

所述補償薄膜晶體管連接到所述節點連接線。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，

所述薄膜晶體管包括驅動薄膜晶體管，并且

所述驅動薄膜晶體管的驅動柵電極與所述下電極一體地形成為單個整體單元。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述驅動薄膜晶體管的驅動半導體層具有彎曲形狀。

10.一種顯示裝置，包括：

基板；

掃描線，在所述基板上在第一方向上延伸；

數據線，在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

像素電路，電連接到所述掃描線和所述數據線；以及

顯示元件，連接到所述像素電路，

其中所述像素電路包括：

驅動薄膜晶體管，設置在所述基板上，其中所述驅動薄膜晶體管包括包含驅動溝道區的驅動半導體層以及被設置成與所述驅動溝道區重疊的驅動柵電極；以及

存儲電容器，包括與所述驅動柵電極一體地形成為單個整體單元的下電極以及與所述下電極重疊的上電極，其中具有單個閉合曲線形狀的開口被限定為穿過所述上電極，

其中，在平面上，所述上電極包括各自暴露所述下電極的邊緣的第一凹陷部分和第二凹陷部分。