[發(fā)明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110489743.X
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN113675064A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 金俸奭;小林憲;大秦充敬;裴允淏
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法，抑制因蝕刻產生的形狀異常，提高等離子體蝕刻的處理性能。等離子體處理裝置包括等離子體處理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等離子體處理腔室內，包括下部電極。源RF生成部生成用于在等離子體處理腔室內產生等離子體的、交替包含高狀態(tài)和低狀態(tài)的源RF信號。偏置DC生成部與下部電極連接，生成交替地包含接通狀態(tài)和關斷狀態(tài)的偏置DC信號，接通狀態(tài)的時段和關斷狀態(tài)的時段分別對應于源RF信號的高狀態(tài)時段和低狀態(tài)時段，各接通狀態(tài)包含多個循環(huán)，各循環(huán)包含具有第一電壓電平的第一脈沖的第一序列和具有與第一電壓電平不同的第二電壓電平的第二脈沖的第二序列。

技術領域

以下所公開的本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置和等離子體處理方法。

背景技術

專利文獻1公開了一種在使用感應耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma：ICP，也稱為變壓器耦合等離子體(Transformer Coupled Plasma：TCP))的裝置中使RF(Radio Frequency：射頻)信號脈沖化的技術。該專利文獻1公開了例如以脈沖序列為逆的方式使供給到線圈的源RF信號和供給到卡盤的偏置RF信號同步的技術。

現(xiàn)有技術文件

專利文件

專利文獻1：美國專利申請公開號2017/0040174說明書

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的技術課題

本發(fā)明提供了一種能夠抑制因蝕刻而產生的形狀異常，從而提高等離子體蝕刻的處理性能的技術。

用于解決技術課題的技術方案

根據(jù)本發(fā)明的一方面的等離子體處理裝置包括等離子體處理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等離子體處理腔室內，并且包括下部電極。源RF生成部構成為生成用于在等離子體處理腔室內產生等離子體的源RF(射頻)信號，源RF信號交替地包含高狀態(tài)和低狀態(tài)。偏置DC生成部連接到下部電極，并且構成為生成偏置DC(Direct Current：直流)信號，偏置DC信號交替地包含接通狀態(tài)和關斷狀態(tài)，接通狀態(tài)的時段對應于源RF信號的高狀態(tài)的時段，關斷狀態(tài)的時段對應于源RF信號的低狀態(tài)的時段，各接通狀態(tài)包含多個循環(huán)，各循環(huán)包含第一脈沖的第一序列和第二脈沖的第二序列，第一脈沖具有第一電壓電平，第二脈沖具有與第一電壓電平不同的第二電壓電平。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制因蝕刻而引起的形狀異常，從而提高等離子體蝕刻的處理性能。

附圖說明

圖1是實施方式的等離子體處理裝置的構成的概念圖。

圖2是表示圖1的等離子體處理裝置的構成的一例的概要縱截面圖。

圖3是表示實施方式的等離子體處理的流程的一例的流程圖。

圖4是表示通過實施方式的等離子體處理進行處理的基片的一例的圖。

圖5是表示實施方式的等離子體處理中使用的RF信號和偏置DC信號的波形的第一例的圖。

圖6是說明實施方式的等離子體處理的特性的變化的圖。

圖7是表示通過實施方式的等離子體處理進行處理的基片的一例的圖。

圖8是表示實施方式的等離子體處理中使用的RF信號和偏置DC信號的波形的第二例的圖。

圖9是表示實施方式的等離子體處理中使用的RF信號和偏置DC信號的波形的第三例的圖。

圖10是表示實施方式的等離子體處理中使用的RF信號和偏置DC信號的波形的第四例的圖。