[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110489607.0
• 申請(qǐng)日: 2021-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN113675109A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本田拓巳;益富裕之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/306
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法，在一并地蝕刻多個(gè)基板的技術(shù)中提高蝕刻處理的均勻性。本公開的基板處理裝置具備處理槽、第一和第二噴出口群、第一變更部、第二變更部以及控制部。處理槽用于使多個(gè)基板浸漬于處理液來進(jìn)行蝕刻處理。第一和第二噴出口群配置于處理槽的內(nèi)部且比多個(gè)基板靠下方的位置，用于向處理槽的內(nèi)部噴出處理液。第一變更部用于變更從第一噴出口群噴出的處理液的流量。第二變更部用于變更從第二噴出口群噴出的處理液的流量。控制部在蝕刻處理過程中控制第一變更部和第二變更部，來進(jìn)行使從第一噴出口群噴出的處理液的流量和從第二噴出口群噴出的處理液的流量以互不相同的方式增加和減少的流量變更處理。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中，已知一種通過在貯存有處理液的處理槽中浸漬多個(gè)基板來一并地蝕刻多個(gè)基板的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-14470號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本公開提供一種在一并地蝕刻多個(gè)基板的技術(shù)中能夠提高蝕刻處理的均勻性的技術(shù)。

用于解決問題的方案

基于本公開的一個(gè)方式的基板處理裝置具備處理槽、第一噴出口群及第二噴出口群、第一變更部、第二變更部以及控制部。處理槽用于將多個(gè)基板浸漬于處理液來進(jìn)行蝕刻處理。第一噴出口群及第二噴出口群配置于處理槽的內(nèi)部且比多個(gè)基板靠下方的位置，用于向處理槽的內(nèi)部噴出處理液。第一變更部用于變更從第一噴出口群噴出的處理液的流量。第二變更部用于變更從第二噴出口群噴出的處理液的流量。控制部在蝕刻處理過程中控制第一變更部和第二變更部，來進(jìn)行使從第一噴出口群噴出的處理液的流量和從第二噴出口群噴出的處理液的流量以互不相同的方式增加和減少的流量變更處理。

發(fā)明的效果

根據(jù)本公開，在一并地蝕刻多個(gè)基板的技術(shù)中，能夠提高蝕刻處理的均勻性。

附圖說明

圖1是表示基板處理的一例的圖。

圖2是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是表示第一實(shí)施方式所涉及的處理液供給部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是表示第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所執(zhí)行的處理的過程的流程圖。

圖5是第一實(shí)施方式所涉及的流量變更處理的說明圖。

圖6是表示發(fā)生液流的淤滯的位置因流量變更處理而變化的樣子的圖。

圖7是表示發(fā)生液流的淤滯的位置因流量變更處理而變化的樣子的圖。

圖8是表示第一實(shí)施方式的變形例所涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖9是第一實(shí)施方式的變形例所涉及的流量變更處理的說明圖。

圖10是表示第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖11是從上方觀察第二實(shí)施方式所涉及的氣體供給部的圖。

圖12是第二實(shí)施方式所涉及的流量變更處理的說明圖。

圖13是表示蝕刻處理過程中的面內(nèi)溫度差隨時(shí)間變化的曲線圖。

附圖標(biāo)記說明