[發(fā)明專利]顯示背板、制作方法以及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110489331.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113284910B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方金鋼;王慶賀;丁錄科;胡迎賓;張揚(yáng);成軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
| 代理公司: | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 安凱 |
| 地址: | 230012 *** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 背板 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示背板,其特征在于:包括襯底和設(shè)置于所述襯底的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層、柵極、源極、漏極和層間介質(zhì)層,所述柵極設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述層間介質(zhì)層分隔所述柵極、所述源極和所述漏極;
在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述層間介質(zhì)層包括層疊設(shè)置的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層,所述第二介質(zhì)層相對(duì)于所述第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底;所述第二介質(zhì)層的致密性低于所述第一介質(zhì)層;所述層間介質(zhì)層上設(shè)置有過孔,所述過孔在所述第二介質(zhì)層的部分為濕刻結(jié)構(gòu),在所述第一介質(zhì)層的部分為干刻結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述柵極采用抗氧化金屬制作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述柵極采用易氧化金屬制作,所述層間介質(zhì)層還包括第三介質(zhì)層,所述第三介質(zhì)層相對(duì)于所述第一介質(zhì)成靠近所述襯底,且所述第三介質(zhì)層的致密性低于所述第一介質(zhì)層;所述過孔包括在所述第三介質(zhì)層的干刻結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示背板,其特征在于:所述第三介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層的厚度均小于所述第二介質(zhì)層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料制作,所述層間介質(zhì)層采用氧化硅制作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述襯底設(shè)置有金屬遮光層和緩沖層,所述緩沖層相對(duì)于所述金屬遮光層遠(yuǎn)離所述襯底,且相對(duì)于所述有源層靠近所述襯底;
所述緩沖層上設(shè)置有干刻成型的第一過孔,所述第一過孔中設(shè)置有覆蓋所述金屬遮光層的金屬保護(hù)層,所述層間介質(zhì)層設(shè)置有與所述第一過孔連通的第二過孔,所述源極通過所述第二過孔和所述第一過孔連接至所述金屬保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示背板,其特征在于:所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置有半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體層包括所述有源層,所述金屬保護(hù)層為所述半導(dǎo)體層導(dǎo)體化形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示背板,其特征在于:所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)設(shè)置有半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體層包括所述有源層,所述有源層包括溝道區(qū)以及導(dǎo)體化的源極區(qū)和漏極區(qū),所述金屬保護(hù)層位于所述源極區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述顯示背板包括存儲(chǔ)電容,所述存儲(chǔ)電容包括層疊設(shè)置的第一電極、第二電極和第三電極,且所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極之間相互絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示背板,其特征在于:所述顯示背板為底發(fā)射結(jié)構(gòu),所述源極連接有像素電極,所述像素電極和所述襯底之間設(shè)置有彩膜層。
11.一種顯示背板的制作方法,其特征在于,包括:
獲取襯底;
在所述襯底的一側(cè)制作有源層、柵極絕緣層與柵極;
在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)依次沉積第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層,所述第二介質(zhì)層的致密性低于所述第一介質(zhì)層;
濕刻所述第二介質(zhì)層,干刻所述第一介質(zhì)層,形成過孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法,其特征在于:所述在所述襯底的一側(cè)制作有源層、柵極絕緣層與柵極,包括:
在所述襯底一側(cè)沉積金屬遮光層和覆蓋所述金屬遮光層的緩沖層;
刻蝕所述緩沖層形成露出所述金屬遮光層的第一過孔;
在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè),制作與所述金屬遮光層相對(duì)的有源層,制作覆蓋所述第一過孔的金屬保護(hù)層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





