[發明專利]含鎘量子點及其制備方法及其應用

有效

• 申請號: 202110489233.2
• 申請日: 2021-05-06
• 公開（公告）號: CN115305089B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 喬培勝;周鑫;汪均;周健海
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G09F9/30;H01L27/15;H01L33/04;H01L33/06;H10K59/10;H10K50/115
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1.一種含鎘量子點，其特征在于，包括第一半導體材料的核，以及設置在所述核上的第二半導體材料的殼，其中所述含鎘量子點包括鎘、鋅、硒和硫，所述核包括CdSe，所述殼包括第一殼和設置在所述第一殼上的第二殼，所述第一殼包括CdZnSe，所述第二殼包括ZnS，所述第一殼中的各個元素分布均勻，所述含鎘量子點還包括金屬元素，所述金屬元素包括IA元素、IIA元素中的一種或多種，還包括IIIA元素、IVA元素中的一種或多種；所述含鎘量子點的紫外可見吸收光譜具有第一吸收峰，所述第一吸收峰的吸收度為I_ab，所述含鎘量子點的紫外可見吸收光譜450nm處的吸收度為I₄₅₀，I₄₅₀/I_ab大于等于10，所述含鎘量子點的熒光發射峰的半峰全寬小于等于20nm。

2.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點為閃鋅礦量子點，所述核的平均尺寸為3～5nm。

3.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點的平均尺寸為15～25nm。

4.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述第一殼的厚度為4～6nm，所述第二殼的厚度為2～4nm。

5.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點的熒光發射峰位為600～650nm。

6.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點的熒光發射峰的半峰全寬小于等于16nm，量子產率大于等于80％。

7.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點中，所述鋅相對于所述鎘的摩爾比大于等于10:1。

8.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點中，所述鋅相對于所述硒的摩爾比1:1～5:1，所述鋅相對于所述硫的摩爾比1:1～5:1。

9.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點的第一吸收峰位為590～640nm，所述含鎘量子點的第一吸收峰的半半峰寬小于等于18nm。

10.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述金屬元素相對于所述鋅的摩爾比為0.02:1～1:1。

11.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點包括第一金屬元素和第二金屬元素，所述第一金屬元素位于所述第一殼，所述第一金屬元素選自IA元素、IIA元素中的至少一種，所述第二金屬元素位于所述第二殼，所述第二金屬元素選自IIIA元素、IVA元素中的至少一種。

12.根據權利要求1所述的含鎘量子點，其特征在于，所述含鎘量子點包含多顆量子點，至少一個單顆所述含鎘量子點的熒光半峰全寬小于等于10nm。

13.一種光致發光器件，其特征在于，包括權利要求1～12所述的任意一種含鎘量子點。

14.根據權利要求13所述的光致發光器件，其特征在于，所述光致發光器件的半峰全寬小于等于20nm。

15.根據權利要求13所述的光致發光器件，所述光致發光器件為量子點膜，其特征在于，所述量子點膜在1W/cm²強度的450nm峰值波長的藍光連續照射1000h后，所述量子點膜的量子效率下降小于等于5％。

16.一種組合物，其特征在于，包括權利要求1～12所述的任意一種含鎘量子點。

17.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1～12所述的任意一種含鎘量子點。

18.一種如權利要求1～12任一項所述的含鎘量子點的制備方法，其特征在于，包括S1，準備含第一半導體材料核的有機溶液；S2，將所述含核的有機溶液、第一金屬前體、第一殼前體和第一有機配體混合并加熱，在所述核表面包覆第一殼后得到中間態量子點；將所述中間態量子點、第二金屬前體，第二殼前體和第二有機配體混合并加熱，在所述第一殼表面包覆第二殼，得到所述含鎘量子點；所述第一金屬前體中的第一金屬元素選自IA元素、IIA元素中的至少一種，所述第二金屬前體中的第二金屬元素選自IIIA元素、IVA元素中的至少一種。