[發(fā)明專利]一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110485167.1
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN113193070B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜君莉;夏大偉;史書懷;馬云瑞;謝偉
• 申請（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)河南省電力公司電力科學(xué)研究院;國家電網(wǎng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/112
• 分類號(hào): H01L31/112;H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 鄭州知己知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41132
• 代理人: 向長麗

1.一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器包括以下組成部分：柔性柵介質(zhì)層、源電極、二維二硒化鈀、絕緣層、漏電極、聚甲基丙烯酸甲酯、柔性透明襯底；所述源電極為金屬銦電極，完全覆蓋在所述二維二硒化鈀上方，所述二維二硒化鈀部分覆蓋在所述漏電極上，部分覆蓋在所述絕緣層上方，所述絕緣層為氮化硼，部分覆蓋在所述漏電極上方，部分覆蓋在所述聚甲基丙烯酸甲酯上方，所述漏電極為石墨烯，完全覆蓋在所述聚甲基丙烯酸甲酯上方，所述聚甲基丙烯酸甲酯完全覆蓋在所述柔性透明襯底上方，不與所述二維二硒化鈀接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述二維二硒化鈀的厚度為3-20nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述絕緣層的厚度為5-10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述漏電極的厚度為0.3-20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯的厚度為100-500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器，其特征在于，所述的柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器的探測光譜范圍為400-3000nm。

7.一種如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在柔性透明襯底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，并烘干成膜；

（2）將石墨烯轉(zhuǎn)移到所述步驟（1）中的聚甲基丙烯酸甲酯上方，作為所述光電傳感器的漏電極；

（3）將絕緣層氮化硼轉(zhuǎn)移到所述步驟（2）中漏電極石墨烯的上方，并部分覆蓋在所述漏電極石墨烯上方；

（4）將二維二硒化鈀部分轉(zhuǎn)移到所述步驟（2）的漏電極石墨烯上方，部分轉(zhuǎn)移到所述步驟（3）中的絕緣層氮化硼的上方；

（5）在與所述絕緣層氮化硼接觸的二維二硒化鈀上方制備金屬銦電極，作為光電傳感器的源電極；

（6）將所述柔性柵介質(zhì)層固化后，轉(zhuǎn)移覆蓋到所述步驟（5）中整個(gè)結(jié)構(gòu)的上方，完成所述二維二硒化鈀柔性自驅(qū)動(dòng)寬光譜光電傳感器的制作。