[發(fā)明專利]微波傳輸線和射頻前端模組

有效

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• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113241510B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設計）人: 邱皓川;胡自潔;張海兵;何森航;濮天鴻;田旭;方信維;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技股份有限公司
• 主分類號: H01P3/10
• 分類號: H01P3/10;H05K9/00;H01B5/14;H01B5/12
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業(yè)剛

本發(fā)明公開了一種微波傳輸線和射頻前端模組，該微波傳輸線包括導電金屬網(wǎng)格結構層，以及設置導電金屬網(wǎng)格結構層上的信號屏蔽層，信號屏蔽層包括石墨烯；信號屏蔽層被配置為對導電金屬網(wǎng)格結構層的在導電過程中的泄露信號進行屏蔽。本技術方案中，由于石墨烯具有較高導電性，同時，石墨烯的微孔結構能夠對泄露信號進行吸收，進而實現(xiàn)對導電金屬網(wǎng)格結構層的在導電過程中的泄露信號進行屏蔽，減少目標傳輸信號的損耗。

技術領域

本發(fā)明涉及射頻傳輸技術領域，尤其涉及一種微波傳輸線和射頻前端模組。

背景技術

微波傳輸線是輸送電磁能的線狀結構的設備。例如，微波傳輸線可適合用來制作微波集成電路的平面化的傳輸線結構，該傳輸線結構因體積小、重量輕、使用頻帶寬、可靠性高和制造成本低等特性被廣泛應用。

在射頻集成電路中，微波傳輸線可對射頻信號進行有效地傳輸，然而，由于微波傳輸線在射頻信號傳輸過程中的電子遷移率非常大，從而會有明顯的輻射損耗，特別是在傳輸高頻率的射頻信號時，由于微波傳輸線的結構特性導致在進行高頻率的射頻信號的傳輸時，經常出現(xiàn)射頻信號泄露的現(xiàn)象，給射頻集成電路造成非常大的損耗。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例提供一種微波傳輸線和射頻前端模組，以解決微波傳輸線進行信號傳輸過程中出現(xiàn)的信號泄露問題。

一種微波傳輸線，包括：

導電金屬網(wǎng)格結構層，以及設置所述導電金屬網(wǎng)格結構層上的信號屏蔽層，所述信號屏蔽層包括石墨烯。

進一步地，所述信號屏蔽層設置在所述導電金屬網(wǎng)格結構層的部分區(qū)域。

進一步地，所述信號屏蔽層的面積等于或大于所述導電金屬網(wǎng)格結構層的面積。

進一步地，所述微波傳輸線包括微帶線導電層、第一接地導電層和第一電介質層；所述第一電介質層設置在所述微帶線導電層和所述第一接地導電層之間，其中，所述電介質層為固體介質；所述信號屏蔽層包括第一信號屏蔽層和/或第二信號屏蔽層；

所述第一信號屏蔽層設置在所述微帶線導電層的遠離所述第一電介質層的導電金屬表面，所述第二信號屏蔽層設置在所述第一接地導電層的遠離所述第一電介質層的導電金屬表面。

進一步地，所述微波傳輸線包括微帶線導電層、第一接地導電層和第二電介質層，所述第二電介質層設置在所述微帶線導電層和所述第一接地導電層之間，其中，所述第二電介質層為氣體介質；所述信號屏蔽層包括第一信號屏蔽層和/或第二信號屏蔽層；

所述第一信號屏蔽層設置在所述微帶線導電層的任意導電金屬表面，所述第二信號屏蔽層設置在所述第一接地導電層的任意導電金屬表面。

進一步地，所述微波傳輸線包括帶狀線導電層、第一導電層、第二導電層和第三電介質層；所述第三電介質層設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間，所述帶狀線導電層嵌入在所述第三電介質層中，其中，所述第三電介質層為固體介質；所述信號屏蔽層包括第一信號屏蔽層和/或第二信號屏蔽層；

所述第一信號屏蔽層設置在所述第一導電層的遠離所述第三電介質層的導電金屬表面，所述第二信號屏蔽層設置在所述第二導電層的遠離所述第三電介質層的導電金屬表面。

進一步地，所述微波傳輸線包括帶狀線導電層、第一導電層、第二導電層和第四電介質層，所述第四電介質層設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間，所述帶狀線導電層嵌入在所述第四電介質層中，其中，所述第四電介質層為氣體介質；所述信號屏蔽層包括第一信號屏蔽層和/或第二信號屏蔽層和/或第三信號屏蔽層；

所述第一信號屏蔽層設置在所述第一導電層的導電金屬表面,所述第二信號屏蔽層設置在所述第二導電層的任意導電金屬表面，所述第三信號屏蔽層設置在所述帶狀線導電層的任意導電金屬表面。

進一步地，所述微波傳輸線包括內同軸導電層、外同軸導電層和第一同軸電介質層；