[發(fā)明專利]體內(nèi)擊穿玻鈍二極管及制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110483931.1 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113206157A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉德軍;龔昌明;袁正剛;李應(yīng)明;洪杜橋;夏靜 | 申請(專利權(quán))人: | 中國振華集團(tuán)永光電子有限公司(國營第八七三廠) |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/45;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/336;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 貴州派騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114 | 代理人: | 張祥軍 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 體內(nèi) 擊穿 二極管 制造 方法 | ||
1.一種體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:包括管芯(1)、電極引線(6),所述電極引線(6)設(shè)于管芯(1)的兩端,管芯(1)與電極引線(6)的外周包覆有鈍化玻璃(7),管芯(1)兩端的電極引線(6)分別伸出鈍化玻璃(7);所述管芯(1)的正面中部為P+突變結(jié)(2),圍繞P+突變結(jié)(2)設(shè)有一圈P區(qū)緩變結(jié)(3),P+突變結(jié)(2)的端面設(shè)有鋁片(4),管芯(1)的背面為N+區(qū)擴(kuò)散(5)。
2.如權(quán)利要求1所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:所述N+區(qū)擴(kuò)散(5)端部均勻地設(shè)有一層金屬化鋁(8)。
3.如權(quán)利要求1所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:所述P+突變結(jié)(2)為鋁片(4)在P區(qū)緩變面上燒焊擴(kuò)散形成。
4.如權(quán)利要求1所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:所述電極引線(6)包括銅引線(9)、鉬柱(11),鉬柱(11)一端與管芯(1)連接,另一端與銅引線(9)連接,鉬柱(11)側(cè)面被包覆于鈍化玻璃(7)內(nèi),銅引線(9)伸出鈍化玻璃(7)。
5.如權(quán)利要求4所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:所述銅引線(9)與鉬柱(11)之間通過銀銅焊片(10)角焊縫焊接。
6.如權(quán)利要求4所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管,其特征在于:位于管芯(1)正面的鉬柱(11)與鋁片(4)連接,鋁片(4)周圍為鈍化玻璃(7)。
7.如權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的體內(nèi)擊穿玻鈍二極管的制造方法,其特征在于:包括如下步驟,
步驟一、單晶片,選擇電阻率為0.005Ω·cm~500Ω·cm的N型單晶硅,進(jìn)行磨片處理;
步驟二、磷硼擴(kuò)散,得到N型擴(kuò)散的硅片,磷面結(jié)深為30μm,方塊電阻≤3Ω/□,硼面結(jié)深為25μm,方塊電阻≤5Ω/□;
步驟三、噴砂,用壓縮空氣攜帶金剛砂去除硼擴(kuò)散面形成的硼硅玻璃層;
步驟四、蒸鋁與合金,在保留的磷擴(kuò)散面蒸鋁,細(xì)磨面不蒸鋁,鋁層厚度為6~16μm,蒸鋁后在高溫下進(jìn)行合金處理;
步驟五、裂片,裂片后用HF:HNO3=1:5體積比的腐蝕劑腐蝕80~180S,腐蝕后用大量冷去離子水沖洗,酒精脫水烘干;
步驟六、裝模,在管芯(1)的P面中部裝配鋁片(4),然后將電極引線(6)裝配在管芯(1)兩端,裝配后在高溫下進(jìn)行燒結(jié)處理;
步驟七、放入腐蝕劑中進(jìn)行臺面腐蝕,腐蝕后用熱去離子水沖洗,并用熱去離子水煮沸5次,用熱、冷去離子水交叉沖洗半小時(shí)以上,然后放入鈍化液中鈍化處理;
步驟八、將產(chǎn)品包覆于玻璃粉中,然后高溫成型,在20~70min升溫到650℃,保持1~8min,然后以速率≤3℃/min降溫,整形后得到產(chǎn)品。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述步驟六的鋁片4成分為硅:鋁=3:97,厚度為50~100μm。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述步驟六的燒結(jié)工藝為,真空度≥0.0034Pa,恒溫溫度為660~850℃,恒溫時(shí)間為10min,升溫速率為5~25℃/min,降溫速率≤3℃/min,降溫至100℃以下取出產(chǎn)品。
10.如權(quán)利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述步驟七的腐蝕劑為2~12%KOH溶液,腐蝕溫度:80~100℃,腐蝕時(shí)間2~25min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





