[發明專利]IGBT功率器件的封裝工藝

有效

• 申請號: 202110483268.5
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113270328B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 田永革;劉杰
• 申請（專利權）人: 深圳芯能半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L23/043;H01L23/14;H01L23/488;H01L29/739
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.一種IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

所述IGBT功率器件包括殼體模塊、至少兩塊陶瓷覆銅板、設置在對應的所述陶瓷覆銅板上的芯片和多個大小相同的條狀連接片，所述殼體模塊形成有用于裝配所述陶瓷覆銅板的容納腔，所述容納腔的腔壁上延伸出多個焊接段焊接端，所述陶瓷覆銅板上設有與所述多個焊接段焊接端一一對應的焊接區域以及用于焊接所述條狀連接片的第一焊接區域和第二焊接區域，其中，所述條狀連接片的兩端焊接端與所述多個焊接段焊接端的形狀大小相同；

所述IGBT功率器件的封裝工藝包括以下步驟：

步驟S10：將所述多個焊接段焊接端正對于對應的各個所述焊接區域進行放置；

步驟S20：將多個所述條狀連接片的兩端分別正對于所述第一焊接區域和所述第二焊接區域的相應位置進行放置；

步驟S30：通過超聲波焊接設備將全部所述焊接段焊接端與全部所述條狀連接片的焊接端一次性地焊接固定在所述陶瓷覆銅板的相應位置上。

2.根據權利要求1所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

所述殼體模塊包括框體；

在所述步驟S10之前還包括以下步驟：將所述多個焊接段焊接端鑲嵌固定在所述框體上以形成整體模塊。

3.根據權利要求2所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

通過注塑成型工藝將所述多個焊接段焊接端預埋設置在所述框體上。

4.根據權利要求2或3所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

所述殼體模塊還包括底板；

在所述步驟S10之前還包括以下步驟：將全部所述陶瓷覆銅板焊接固定在所述底板上，然后將所述芯片焊接固定在相應的所述陶瓷覆銅板上。

5.根據權利要求4所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

在實施所述步驟S10過程中，將所述框體粘接固定在所述底板的板面上。

6.根據權利要求2或3所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

在實施所述步驟S20過程中，使用專用夾具將各個所述條狀連接片的兩端分別放置在所述第一焊接區域和所述第二焊接區域的相應位置上，并通過所述專用夾具與所述框體配合對各個所述條狀連接片進行定位，并且在完成所述步驟S30后移除所述專用夾具。

7.根據權利要求1所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

在實施所述步驟S10之前還包括以下步驟：通過切割工藝或沖裁工藝加工成型各個所述條狀連接片。

8.根據權利要求7所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

每個所述條狀連接片由兩端焊接端和連接兩端焊接端的過渡段構成；每個所述條狀連接片的焊接端與過渡段的寬度比設計為1.5：1至1.8：1。

9.根據權利要求4所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

在完成所述步驟S30之后還包括步驟S40，所述步驟S40：在所述容納腔中注入液態的絕緣緩沖膠，并使所述絕緣緩沖膠覆蓋全部所述陶瓷覆銅板和全部所述芯片，然后靜置固化后形成絕緣緩沖膠層，其中，所述絕緣緩沖膠層的周線邊緣與所述框體的內壁密封相連。

10.根據權利要求9所述的IGBT功率器件的封裝工藝，其特征在于，

所述殼體模塊還包括蓋板；

在完成所述步驟S40之后還包括步驟S50，所述步驟S50：將所述蓋板封蓋在所述框體上，其中，所述蓋板、所述框體與所述底板配合形成所述容納腔。