[發明專利]感光芯片及攝像頭模組

在審

• 申請號: 202110483257.7
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113163092A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 李洪波
• 申請（專利權）人: 維沃移動通信（杭州）有限公司
• 主分類號: H04N5/225
• 分類號: H04N5/225
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 王思超

1.一種感光芯片，其特征在于，所述感光芯片包括多個感光單元，所述感光單元包括漸變折射率透鏡、紅外吸收膜、彩色濾光片和光電二極管，所述紅外吸收膜設置于所述漸變折射率透鏡背離所述漸變折射率透鏡的入光側的一側，所述彩色濾光片設置于所述紅外吸收膜背離所述漸變折射率透鏡的一側，所述光電二極管設置于所述彩色濾光片背離所述紅外吸收膜的一側；

其中，光線由所述漸變折射率透鏡的入光側入射，依次經過所述漸變折射率透鏡、所述紅外吸收膜、所述彩色濾光片和所述光電二極管后，轉化為電信號，以用于成像。

2.根據權利要求1所述的感光芯片，其特征在于，所述感光芯片還包括：微結構，所述微結構設置于所述漸變折射率透鏡的入光側的一側，所述微結構用于增加所述感光芯片的進光量。

3.根據權利要求2所述的感光芯片，其特征在于，所述微結構為設置于所述漸變折射率透鏡的入光側一側的鍍層。

4.根據權利要求3所述的感光芯片，其特征在于，所述漸變折射率透鏡的折射率的分布是沿著光軸旋轉對稱的。

5.根據權利要求2所述的感光芯片，其特征在于，所述微結構為納米級多層楔形顯微結構。

6.根據權利要求1所述的感光芯片，其特征在于，所述漸變折射率透鏡包括至少兩種材料，在一種材料中摻雜另外至少一種材料以實現所述漸變折射率透鏡的折射率變化。

7.根據權利要求6所述的感光芯片，其特征在于，所述至少兩種材料為SiO₂和TiO₂。

8.根據權利要求1所述感光芯片，其特征在于，所述紅外吸收膜為設置于所述漸變折射率透鏡背離所述漸變折射率透鏡的入光側的一側的鍍層。

9.一種攝像頭模組，其特征在于，包括：鏡頭組件和如權利要求1-8任一項所述的感光芯片，所述感光芯片位于所述鏡頭組件背離所述鏡頭組件的入光側的一側。

10.根據權利要求9所述的攝像頭模組，其特征在于，所述攝像頭模組包括：線路板和馬達；所述馬達與所述鏡頭組件連接，所述馬達驅動所述鏡頭組件移動；所述感光芯片設置于所述線路板上，所述線路板用于傳輸所述感光芯片轉化的電信號。