[發明專利]在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法

在審

• 申請號: 202110478943.5
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113173805A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 余輝;劉夢;晏嘉星;徐雅麗;米婷婷
• 申請（專利權）人: 萍鄉學院
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C09D1/00;C09D7/63;C09D7/65;C09D201/00;C09D7/20;C09D7/61;C03C8/00
• 代理公司: 萍鄉益源專利事務所 36119
• 代理人: 胡宜斌

1.在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：它包括以下方法步驟：

a、將微米陶瓷粉和水混合后，加入分散劑，并充分攪拌制成漿料，

b、將漿料噴涂在陶瓷釉面上，然后將陶瓷釉面在900~1250℃溫度下進行燒制，使陶瓷釉面上形成微米乳突結構，

c、將步驟b所得到的具有微米乳突結構的陶瓷釉面進行表面羥基化處理，

d、將疏水有機質、乙醇與水按比例混合，再在混合液中加入3~10 wt%的納米陶瓷顆粒進行充分混合，配制成疏水涂料，

e、將步驟d得到的疏水涂料噴涂在步驟c經過羥基化處理后的陶瓷釉面上，固化后，所述釉面上形成有陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構。

2.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：所述陶瓷主要為電瓷和墻面瓷磚，所述陶瓷釉面用長石、石英和粘土為主要原料和輔料和水混合配制而成。

3.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納結構的方法，其特征在于：所述羥基化處理是：將表面具有微納乳突結構的陶瓷釉面在1wt%的鹽酸中浸漬30~80min后,再將其置于120℃~150℃溫度下干燥，然后再將其放在水溶液中浸泡、提出在室溫下風干后，再置于濕度為45-55%的恒溫恒濕箱中，在25~35℃的溫度下處理。

4.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：所述漿料噴涂是在在已燒制的陶瓷釉面，采用噴涂壓力為0.5~0.8MPa，噴口直徑為0.5~0.7mm，噴涂距離為10~12mm，微米，噴涂時間為2~7s進行噴涂。

5.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：將疏水涂料倒入噴槍液壺至壺體3/4處，噴涂氣壓為 0.3~0.5 MPa,噴槍口直徑為 0.5~0.7mm，噴槍與樣品表面距離為8~10cm，噴涂時間為2~6s。

6.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：所述步驟d中的疏水涂料中：將四種物料在配置完成后，采用超聲攪拌1 h，使涂料充分混合均勻。

7.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：所述分散劑為聚乙烯醇或聚乙二醇，分散劑用量為微米陶瓷粉和水混合重量的0.1%~0.5%。

8.根據權利要求1所述的在釉面上構建陶瓷基荷葉仿生疏水微納乳突結構的方法，其特征在于：所述微米陶瓷粉為氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、硅酸鋯、羥基磷灰石或莫來石中的一種或多種混合的高溫穩定陶瓷材料粉。