[發(fā)明專(zhuān)利]過(guò)電壓保護(hù)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110478548.7 | 申請(qǐng)日: | 2015-08-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113013861A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜志德;秦傳芳;杜堯生 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02H9/04 | 分類(lèi)號(hào): | H02H9/04;H01C7/12;H01C7/102;H01L29/87 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 214142 江蘇省無(wú)錫市中華*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 過(guò)電壓 保護(hù)裝置 | ||
1.一種過(guò)電壓保護(hù)裝置,包括:
具有第一表面和第二表面的金屬氧化物變阻器(MOV);
半導(dǎo)體基板,其具有第一外表面和第二外表面,并且包括半導(dǎo)體消弧裝置,所述半導(dǎo)體消弧裝置包括彼此電串聯(lián)布置的多個(gè)半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體基板設(shè)置在所述金屬氧化物變阻器的第一側(cè)上;
設(shè)置在金屬氧化物變阻器的第二表面和半導(dǎo)體基板的第一外表面之間的導(dǎo)電區(qū)域;第一電觸件設(shè)置在金屬氧化物變阻器的第一表面上;以及
設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第二外表面上的第二電觸件;
其中,半導(dǎo)體消弧裝置包括:
內(nèi)部n-型層;
設(shè)置在第一外表面上的第一外部n-型層;
設(shè)置在第二外表面上的第二外部n-型層;
設(shè)置在第一外部n-型層和內(nèi)部n-型層之間的第一p-型層;以及
設(shè)置在第二外部n-型層和內(nèi)部n-型層之間的第二p-型層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述金屬氧化物變阻器和所述半導(dǎo)體消弧裝置在所述第一電觸件和所述第二電觸件之間電串聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中所述金屬氧化物變阻器包括第一隔絕電壓,所述半導(dǎo)體消弧裝置包括第二隔絕電壓,并且所述過(guò)電壓保護(hù)裝置包括等于第一隔絕電壓和第二隔絕電壓之和的總隔絕電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述金屬氧化物變阻器包括作為獨(dú)立裝置的第一響應(yīng)時(shí)間,并且其中,所述過(guò)電壓保護(hù)裝置包括小于所述第一響應(yīng)時(shí)間的第二響應(yīng)時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述金屬氧化物變阻器包括作為獨(dú)立裝置的處于第一電壓的第一泄漏電流,并且其中,所述過(guò)電壓保護(hù)裝置包括處于所述第一電壓的小于所述第一泄漏電流的第二泄漏電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,所述半導(dǎo)體消弧裝置和金屬氧化物變阻器布置成當(dāng)外部電壓超過(guò)閾值時(shí)使所述過(guò)電壓保護(hù)裝置處于開(kāi)啟狀態(tài),并且還布置成當(dāng)所述外部電壓低于閾值時(shí)使所述過(guò)電壓保護(hù)裝置處于關(guān)閉狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述第一p-型層的第一部分設(shè)置在所述第一外表面上,并且所述第二p-型層的第二部分設(shè)置在所述第二外表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述導(dǎo)電區(qū)域包括:
設(shè)置在所述金屬氧化物變阻器的第二表面上的第一導(dǎo)電層;
設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的第一外表面上的第二導(dǎo)電層;和
設(shè)置在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的第一銅塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述第二電觸件包括:設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的第二外表面上的第三導(dǎo)電層;以及設(shè)置在所述第三導(dǎo)電層上的第二銅塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓保護(hù)裝置,其中,所述過(guò)電壓保護(hù)裝置包括對(duì)稱(chēng)裝置,所述對(duì)稱(chēng)裝置包括響應(yīng)于施加在第一電觸件和第二電觸件之間的第一幅度的正外部電壓的第一電流-電壓特性,并且包括響應(yīng)于施加在第一電觸件和第二電觸件之間的所述第一幅度的負(fù)外部電壓的第二電流-電壓特性,所述第二電流-電壓特性與所述第一電流-電壓特性匹配。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司,未經(jīng)力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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