[發明專利]具有寄生耦合單元的基站天線

在審

• 申請號: 202110478060.4
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN113131213A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: S·M·阿拔斯;M·V·瓦奴斯法德拉尼;胡忠浩
• 申請（專利權）人: 康普技術有限責任公司
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q21/12;H01Q3/26;H01Q5/00;H01Q5/10;H01Q5/40;H01Q5/48;H01Q5/49
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 於菪珉

1.一種基站天線，包括：

背板；

第一低頻帶線性陣列，所述第一低頻帶線性陣列包括第一多個低頻帶輻射元件，所述第一多個低頻帶輻射元件被安裝為從所述背板向前延伸；

第二低頻帶線性陣列，所述第二低頻帶線性陣列包括第二多個低頻帶輻射元件，所述第二多個低頻帶輻射元件被安裝為從所述背板向前延伸；

第一高頻帶線性陣列，所述第一高頻帶線性陣列包括第一多個高頻帶輻射元件，所述第一多個高頻帶輻射元件被安裝為從所述背板向前延伸，所述第一高頻帶線性陣列位于所述第一低頻帶線性陣列和所述第二低頻帶線性陣列之間；

第二高頻帶線性陣列，所述第二高頻帶線性陣列包括第二多個高頻帶輻射元件，所述第二多個高頻帶輻射元件被安裝為從所述背板向前延伸，所述第二高頻帶線性陣列位于所述第一低頻帶線性陣列和所述第二低頻帶線性陣列之間；以及

多個寄生耦合單元，所述多個寄生耦合單元彼此間隔開并且從所述背板向前延伸，每個寄生耦合單元位于所述第一高頻帶線性陣列和所述第二高頻帶線性陣列之間，

其中，每個寄生耦合單元包括第一寄生耦合結構和與所述第一寄生耦合結構間隔開的第二寄生耦合結構，所述第一寄生耦合結構包括電容性地耦合到所述背板的第一基部和從所述第一基部向前延伸的第一壁，以及所述第二寄生耦合結構包括電容性地耦合到所述背板的第二基部和從所述第二基部向前延伸且平行于所述第一壁延伸的第二壁，

其中，在寄生耦合單元中的至少一些寄生耦合單元中，第一寄生耦合結構不直接接觸第二寄生耦合結構。

2.根據權利要求1所述的基站天線，其中，寄生耦合單元中的第一寄生耦合單元的第一壁包括至少一個圍合的槽。

3.根據權利要求2所述的基站天線，其中，至少一個槽的長度在0.4λ和0.6λ之間，其中，λ是與所述第一低頻帶線性陣列和所述第二低頻帶線性陣列的組合操作頻帶的中心頻率對應的波長。

4.根據權利要求1所述的基站天線，其中，寄生耦合單元中的第一寄生耦合單元的第一寄生耦合結構和第二寄生耦合結構在它們之間限定內部腔體，并且其中，用于寄生帶的安裝結構通過所述內部腔體從所述背板向前延伸。

5.根據權利要求2所述的基站天線，其中，寄生耦合單元中的所述第一寄生耦合單元的第一壁包括彼此平行地延伸的至少兩個圍合的槽。

6.根據權利要求1所述的基站天線，其中，寄生耦合單元以及所述第一低頻帶線性陣列和所述第二低頻帶線性陣列在所述背板的同一側。

7.根據權利要求2所述的基站天線，其中，至少一個槽的尺寸被配置為使得由通過所述第一多個低頻帶輻射元件傳輸的第一射頻能量在寄生耦合單元中的所述第一寄生耦合單元上產生的表面電流將重新輻射與通過所述第一多個低頻帶輻射元件傳輸的所述第一射頻能量更同相的第二射頻能量。

8.一種基站天線，包括：

背板；

第一陣列，所述第一陣列包括從所述背板向前延伸的第一多個輻射元件；

第二陣列，所述第二陣列包括從所述背板向前延伸的第二多個輻射元件；

多個間隔開的寄生耦合單元，所述多個間隔開的寄生耦合單元從所述背板向前延伸，寄生耦合單元位于所述第一陣列和所述第二陣列之間，

其中，每個寄生耦合單元包括第一寄生耦合結構，所述第一寄生耦合結構包括電容性地耦合到所述背板的第一基部和從所述第一基部向前延伸的第一壁，所述第一壁包括至少兩個平行的、垂直延伸的槽。

9.根據權利要求8所述的基站天線，其中，寄生耦合單元中的第一寄生耦合單元還包括第二寄生耦合結構，所述第二寄生耦合結構包括電容性地耦合到所述背板的第二基部和從所述第二基部向前延伸且平行于所述第一壁延伸的第二壁，所述第二壁包括至少兩個槽。