[發明專利]一種智能供電方法和裝置

在審

• 申請號: 202110477972.X
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113364075A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃昌正;陳曦;周言明;伍景生
• 申請（專利權）人: 海拓信息技術（佛山）有限公司;廣東海火虛擬現實技術服務有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種智能供電方法，其特征在于，所述方法涉及供電接口、智能切換電路、充電電路、設備電池、電機驅動電路，所述供電接口與所述智能切換電路相互耦接，所述充電電路與所述設備電池相互耦接，所述方法包括：

所述智能切換電路檢測來自所述供電接口的輸入電壓；

若所述輸入電壓為零，則所述智能切換電路控制所述設備電池與所述電機驅動電路連通，使所述設備電池為所述電機驅動電路供電；

若所述輸入電壓不為零，則所述智能切換電路判斷所述輸入電壓是否超過預設電壓閾值；

若是，則所述智能切換電路控制所述供電接口與所述充電電路進行連通，使所述供電接口為所述充電電路供電；

若否，則所述智能切換電路控制所述供電接口與所述電機驅動電路進行連通，使所述供電接口為所述電機驅動電路供電。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述智能切換電路包括基準電壓源電路、第一電壓比較器以及第二電壓比較器，其中，

所述供電接口與所述第一電壓比較器的正端耦接，所述基準電壓源電路的輸出端與所述第一電壓比較器的負端耦接，所述第一電壓比較器的輸出端與第一NPN三極管的基極耦接，所述第一NPN三極管的集電極與第一開關耦接，所述第一NPN三極管的發射集接地，所述第一開關與所述供電接口以及充電電路耦接，

第一NPN三極管的集電極與第二NPN三極管的基極耦接，所述第二NPN三極管的集電極與第二開關耦接，所述第二開關與所述供電接口以及電機驅動電路耦接，

所述供電接口與所述第二電壓比較器的正端耦接，第二電壓比較器的負端接地，所述第二電壓比較器的輸出端與所述與非門器件的第一輸入端耦接，所述充電接口與所述與非門器件的第二輸入端耦接，所述與非門器件的輸出端與第三NPN三極管的基極耦接，所述第三NPN三極管的發射極接地，所述第三NPN三極管的集電極與第三開關耦接，所述第三開關與所述設備電池以及所述電機驅動電路耦接。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一開關包括第一PMOS場效應管以及第二PMOS場效應管，所述第一PMOS場效應管的柵極、所述第二PMOS場效應管的柵極與所述第一NPN三極管的集電極相互耦接，所述第一PMOS場效應管的源極與所述第二PMOS場效應管的源極耦接，所述第一PMOS場效應管的漏極與所述供電接口耦接，所述第二PMOS場效應管的漏極與所述充電電路耦接。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二開關包括第三PMOS場效應管以及第四PMOS場效應管，所述第三PMOS場效應管的柵極、所述第四PMOS場效應管的柵極與所述第二NPN三極管的集電極相互耦接，所述第三PMOS場效應管的源極與所述第四PMOS場效應管的源極耦接，所述第三PMOS場效應管的漏極與所述供電接口耦接，所述第四PMOS場效應管的漏極與所述電機驅動電路耦接。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三開關包括第五PMOS場效應管以及第六PMOS場效應管，所述第五PMOS場效應管的柵極、所述第六PMOS場效應管的柵極與所述第三NPN三極管的集電極相互耦接，所述第五PMOS場效應管的源極與所述第六PMOS場效應管的源極耦接，所述第五PMOS場效應管的漏極與所述設備電池耦接，所述第六PMOS場效應管的漏極與所述電機驅動電路耦接。