[發(fā)明專利]一種電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

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• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113126333A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁寒瀟;宋一品;周穎聰;巫海蒼;毛文浩;宋時偉;孫維祺;俞清揚
• 申請（專利權(quán)）人: 南京刻得不錯光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 北京知果之信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11541
• 代理人: 卜榮麗;李志剛

1.一種電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

所述電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)從下至上依次是襯底層、隔離層、電光材料薄膜層、混合層以及薄膜電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述襯底層的材料為硅；

所述隔離層的材料為二氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述電光材料薄膜層上存在預(yù)設(shè)刻蝕圖案，所述預(yù)設(shè)刻蝕圖案為集成光子元器件結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述混合層包括絕緣層與金屬電極，其中，所述絕緣層材料為光介質(zhì)材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

在所述薄膜電阻與混合層上方覆蓋有保護層，所述保護層的厚度為5nm-30μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述電光材料薄膜層材料為鈮酸鋰晶體，砷化鎵晶體和鉭酸鋰晶體中的任一種。

7.一種如權(quán)利要求1-6所述的電光調(diào)制器的終端負載結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，

在薄膜晶圓上制作集成光子元器件結(jié)構(gòu)，形成電光材料薄膜層；

在所述電光薄膜層上沉積絕緣層材料，在所述絕緣層基于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)對導(dǎo)體材料進行處理，形成含有共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的混合層；以及

在所述混合層頂面，基于薄膜電阻預(yù)設(shè)位置進行薄膜電阻材料沉積，形成薄膜電阻，其中所述薄膜電阻預(yù)設(shè)位置為所述混合層中的共面波導(dǎo)的端面處。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在薄膜晶圓上制作集成光子元器件結(jié)構(gòu)，形成電光材料薄膜層，包括：

基于預(yù)設(shè)圖案通過干法刻蝕的方法對所述薄膜晶圓進行刻蝕，制作集成光子元器件結(jié)構(gòu)，形成電光材料薄膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述電光薄膜層上沉積絕緣層材料，在所述絕緣層基于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)對導(dǎo)體材料進行處理，形成含有共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的混合層，包括：

在所述電光材料薄膜層上沉積絕緣層材料，在通孔預(yù)設(shè)位置對所述絕緣層進行刻蝕，形成通孔；

在所述通孔內(nèi)部填充導(dǎo)體材料，形成混合層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述電光薄膜層上沉積二氧化硅，在所述二氧化硅層基于預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu)設(shè)置導(dǎo)體材料，形成混合層，還包括：

在所述電光材料薄膜層的第一導(dǎo)體預(yù)設(shè)位置處沉積導(dǎo)體材料，在所述電光材料薄膜層與導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)表面，沉積絕緣層材料，在第二導(dǎo)體預(yù)設(shè)位置處進行打孔，形成偽孔結(jié)構(gòu)，在所述偽孔內(nèi)部填塞導(dǎo)體材料，形成混合層，其中，所述第二導(dǎo)體預(yù)設(shè)位置位于所述第一導(dǎo)體預(yù)設(shè)位置水平正上方。