[發明專利]微顯示器件及其制備方法在審
| 申請號: | 202110477632.7 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN113284918A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 冉峰 | 申請(專利權)人: | 蘇州唐古光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 劉敏 |
| 地址: | 215128 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 及其 制備 方法 | ||
本申請涉及一種微顯示器件及其制備方法,該微顯示器件包括實現彩色化顯示的多個顯示單元,微顯示器件包括:襯底;驅動陣列層,位于襯底上,驅動陣列層包括與多個顯示單元一一對應的多個像素驅動電路和至少一個共電極電路,以及暴露在驅動陣列層表面的多個第一電極;第一電極與像素驅動電路電連接;多個微發光二極管,位于驅動陣列層背離襯底的一側,且分布于多個顯示單元,微發光二極管包括第一連接端和第二連接端,第一連接端與第一電極電連接,第二連接端與共電極電路電連接;其中,每個顯示單元由對應的像素驅動電路單獨驅動以產生單色圖像。該微顯示器件可以實現彩色化顯示。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種微顯示器件及其制備方法。
背景技術
隨著微型投影機和可穿戴設備逐漸進入到現實生產與生活中,微發光二極管(Micro Light Emitting Diode,Micro-LED)顯示器件的應用前景越來越廣泛。Micro-LED可視為微小化的LED,具有自發光、高輝度、低耗電、像素可獨立控制及超高分辨率等優勢。在此基礎上,結合納米布線技術,可以將Micro LED顯示器制成柔性器件,從而應用到可穿戴設備上。
但隨之而來的,對Micro LED顯示器件的需求與要求也在逐漸提高。目前基于Micro LED的微顯示應用主要為單色顯示,其可以通過對單色LED微芯片進行切割、轉移和貼合的技術途徑來實現,但要實現全彩顯示來滿足實際應用的要求,技術上還有待進一步研究。
發明內容
本申請的目的是提供一種微顯示器件及其制備方法,該微顯示器件可以實現彩色化顯示。
一方面,本申請實施例提出一種微顯示器件,該微顯示器件包括實現彩色化顯示的多個顯示單元,微顯示器件包括:襯底;驅動陣列層,位于襯底上,驅動陣列層包括與多個顯示單元一一對應的多個像素驅動電路和至少一個共電極電路,以及暴露在驅動陣列層表面的多個第一電極;第一電極與像素驅動電路電連接;多個微發光二極管,位于驅動陣列層背離襯底的一側,且分布于多個顯示單元,微發光二極管包括第一連接端和第二連接端,第一連接端與第一電極電連接,第二連接端與共電極電路電連接;其中,每個顯示單元由對應的像素驅動電路單獨驅動以產生單色圖像。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,驅動陣列層還包括暴露在驅動陣列層表面的至少一個共電極,共電極與共電極電路電連接。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,微顯示器件還包括公共電極層,公共電極層的至少部分包覆微發光二極管的第二連接端,公共電極層與共電極電連接。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,共電極電路的數量為一個,共電極電路位于多個像素驅動電路的一側;公共電極層在襯底上的正投影覆蓋多個像素驅動電路和共電極電路在襯底上的正投影。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,共電極電路的數量為多個,每個共電極電路位于每個像素驅動電路的一側;公共電極層包括與多個顯示單元一一對應的多個第二電極,每個第二電極在襯底上的正投影覆蓋對應的像素驅動電路和共電極電路在襯底上的正投影。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,多個顯示單元包括紅色顯示單元、綠色顯示單元和藍色顯示單元,多個微發光二極管包括位于紅色顯示單元的紅色微發光二極管、位于綠色顯示單元的綠色微發光二極管和位于藍色顯示單元的藍色微發光二極管。
根據本申請一方面的前述任一實施方式,多個顯示單元包括紅色顯示單元、綠色顯示單元和藍色顯示單元,微發光二極管為藍色微發光二極管,多個藍色微發光二極管分別位于紅色顯示單元、綠色顯示單元和藍色顯示單元;微顯示器件還包括顏色轉換層,顏色轉換層位于公共電極層背離襯底的一側,顏色轉換層包括紅色轉換層和綠色轉換層,紅色轉換層位于紅色顯示單元,以將藍色微發光二極管發射的藍光轉換為紅光,綠色轉換層位于綠色顯示單元,以將藍色微發光二極管發射的藍光轉換為綠光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





