[發明專利]反應腔室及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202110477256.1
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113178378A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 崔詠琴;林源為
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/30;H01J37/305;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種反應腔室，其特征在于，包括：

腔室本體(100)；

晶圓承載臺(200)，所述晶圓承載臺(200)位于所述腔室本體(100)內，所述晶圓承載臺(200)用于承載晶圓(300)；

遮擋件(400)，所述遮擋件(400)位于所述腔室本體(100)內，所述遮擋件(400)能夠覆蓋于所述晶圓(300)的頂面，所述遮擋件(400)具有鏤空區域(410)，所述鏤空區域(410)的形狀與所述晶圓(300)的待刻蝕圖形(310)的形狀相匹配。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括第一驅動機構(500)，所述第一驅動機構(500)與所述遮擋件(400)相連接，所述第一驅動機構(500)用于驅動所述遮擋件(400)運動，以使所述遮擋件(400)遠離或者靠近所述晶圓(300)。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述第一驅動機構(500)驅動所述遮擋件(400)沿垂直于所述晶圓(300)所在的平面的方向移動。

4.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述第一驅動機構(500)驅動所述遮擋件(400)在第一平面運動，其中，所述第一平面與所述晶圓(300)所在的平面相平行；或，

所述反應腔室還包括第二驅動機構(600)，所述第二驅動機構(600)與所述晶圓承載臺(200)連接，所述第二驅動機構(600)驅動所述晶圓承載臺(200)在所述第一平面內運動。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的反應腔室，其特征在于，所述腔室本體(100)的頂部開設有觀察窗(110)，所述觀察窗(110)用于觀察所述遮擋件(400)和所述晶圓(300)的相對位置。

6.根據權利要求5所述的反應腔室，其特征在于，所述觀察窗(110)安裝有顯微鏡。

7.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述第一驅動機構(500)包括驅動源(510)、連接件(520)和驅動桿(530)，所述驅動源(510)和所述連接件(520)均位于所述腔室本體(100)之外，所述連接件(520)與所述驅動源(510)相連接，所述腔室本體(100)上開設有通孔，所述驅動桿(530)的一端與所述連接件(520)相連接，所述驅動桿(530)的另一端穿過所述通孔伸入所述腔室本體(100)內并與所述遮擋件(400)相連接，所述驅動源(510)通過所述連接件(520)和所述驅動桿(530)驅動所述遮擋件(400)運動。

8.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述遮擋件(400)開設有定位凹槽(420)，所述驅動桿(530)的部分位于所述定位凹槽(420)內，以使所述驅動桿(530)與所述遮擋件(400)實現定位。

9.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述第一驅動機構(500)還包括彈性件，所述彈性件位于所述驅動桿(530)靠近所述遮擋件(400)的一端，所述驅動桿(530)與所述遮擋件(400)通過所述彈性件彈性連接。

10.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括權利要求1至9中任一項所述的反應腔室。