[發明專利]一種顯示裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 202110477077.8 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN113192998A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 王明星;劉英偉;李海旭;王珂;曹占鋒;袁廣才;齊琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
本發明實施例提供一種顯示裝置及其制備方法及顯示裝置,該顯示裝置包括:背板;功能模組;功能模組包括:第一薄膜層,第一薄膜層包括多個陣列排列的第一導電體;第一電極層,第一電極層設置在第一薄膜層背離背板的一面,包括多個與第一導電體一一對應排列的第二導電體;功能層,功能層設置在所述第一電極層背離所述第一薄膜層的一面;第二電極層,第二電極層設置在所述功能層背離所述第一電極層的一面。在本發明實施例中,通過結合功能層與第一導電體,提高顯示裝置的發光效率,以及功能層能夠降低發光波長對電流的藍移,此外,多個第一導電體作為電極,能夠減少巨量的第一導電體在轉移和鍵合時對精度要求高的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示裝置及其制備方法。
背景技術
Mini/Micro LED(微型發光二極管)是新一代顯示技術,比現有的有機發光二極管技術的顯示亮度更高、發光效率更好、功耗更低。現有的Mini/Micro LED采用RGB三色LED,或者是采用藍色LED結合量子點實現顯示裝置的彩色化顯示;其中,采用藍色LED結合量子點實現顯示裝置的彩色化顯示,由于不采用紅色LED,使成本低,并且發光效率高,并且量子點具有色域高,不隨電流變化出現波長紅移或者藍移的現象。
但是目前的Mini/Micro LED還存在發光效率低、LED發光波長對電流的藍移,巨量LED在轉移以及鍵合過程中對精度要求高的問題;參照圖1,示出現有的顯示裝置的一種背板,其中,背板包括基板01,以及設置在基板01上的多個電極N,其中,多個LED在轉移以及鍵合時,需要將各個LED與背板上的P區域一一對應,此外,還需要將事先制備的LED的電極與電極N進行對位,因此,對LED轉移以及鍵合時的精度要求很高。
發明內容
本發明提供一種顯示裝置及其制備方法,以解決采用現有顯示裝置存在發光效率低、LED發光波長對電流的藍移,巨量LED在轉移以及鍵合過程中對精度要求高的問題。
本發明第一方面提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
背板;
功能模組,所述功能模組設置在所述背板上;所述功能模組包括:第一薄膜層,所述第一薄膜層包括多個陣列排列的第一導電體;第一電極層,所述第一電極層設置在所述第一薄膜層背離所述背板的一面,包括多個與所述第一導電體一一對應排列的第二導電體;功能層,所述功能層設置在所述第一電極層背離所述第一薄膜層的一面;第二電極層,所述第二電極層設置在所述功能層背離所述第一電極層的一面。
可選地,所述背板包括:
第一基板,以及設置在所述第一基板上的第三電極層;所述第三電極層包括:陽極和陰極;所述第一基板包括:發光區和所述發光區四周的非發光區;所述陽極設置在所述發光區,所述陰極設置在所述非發光區;
則所述功能模組還包括:第四電極層;所述第四電極層設置在在所述第二電極層背離所述背板的一面以及所述陰極背離所述第一基板的一面;
其中,所述第一薄膜層的各個所述第一導電體與所述陽極對應接觸。
可選地,所述功能模組包括:多個功能組件;多個所述功能組件陣列排布;
則所述背板包括:
第二基板,以及設置在所述第二基板上的第五電極層;
所述第五電極層包括:陽極和陰極;所述第二基板劃分有多個第一區域和第二區域;所述第二區域設置在所述第一區域之間;所述第一區域內放置多個所述陽極;所述第二區域內放置所述陰極;
一個所述功能組件與一個所述第一區域對應設置。
可選地,一個所述陽極對應與多個所述第一導電體鍵合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





