[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110476546.4 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN113193033A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | 范文志;萬云海;李瑤;朱超;劉家昌;曹曙光;淮兆祥;施文峰;蔡偉民 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/12;H01L23/64 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管包括依次層疊設置的第一有源層、第一柵絕緣層以及第一柵極,所述第一有源層設置在所述基板上;
第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管包括第二有源層,所述第二有源層設置在所述第一柵絕緣層背離所述基板的一側,且所述第二有源層與所述第一柵極同層設置;
存儲電容,所述存儲電容包括第一電極,所述第一電極與所述第一有源層或所述第二有源層同層設置,且所述第一電極的材質與同層設置的有源層的材質相同。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有源層的材質為金屬氧化物,所述第一柵極的材質包括金屬氧化物和第一離子,且形成所述第一柵極的金屬氧化物與形成所述第二有源層的金屬氧化物相同;
其中,所述第一離子用于摻雜在所述金屬氧化物內,以將所述第一柵極轉化為導體。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述存儲電容還包括第二電極,當所述第一電極與所述第一有源層同層設置時,所述第一柵絕緣層覆蓋所述第一電極,所述第二電極與所述第二有源層同層設置。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有源層的材質為金屬氧化物,所述第二電極的材質包括金屬氧化物和第二離子,且形成所述第二電極的金屬氧化物與形成所述第二有源層的金屬氧化物相同;
其中,所述第二離子用于摻雜在所述金屬氧化物內,以將所述第二電極轉化為導體。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶體管還包括設置在所述第二有源層背離所述基板一側的第二柵絕緣層、設置在所述第二柵絕緣層背離所述基板一側的第二柵極;
所述存儲電容還包括第二電極,當所述第一電極與所述第一有源層同層設置時,所述第一柵絕緣層覆蓋所述第一電極,所述第二電極與所述第二柵極同層設置;
當所述第一電極與所述第二有源層同層設置時,所述第二柵絕緣層覆蓋所述第一電極,所述第二電極與所述第二柵極同層設置。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第二電極與所述第二柵極的材質相同,且均為金屬材質。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有源層在所述基板上的正投影與所述第二有源層在所述基板上的正投影不重合。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一柵極在所述基板上的正投影位于所述第一有源層在所述基板上的正投影內。
9.根據權利要求1至8任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有源層的材質為低溫多晶硅。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如權利要求1至9任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





