[發明專利]磁存儲器件

在審

• 申請號: 202110476411.8
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113299821A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 林世杰;李乾銘;宋明遠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L43/04
• 分類號: H01L43/04;H01L43/08;H01L27/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種磁存儲器件，包括：

第一自旋軌道扭矩感應結構，所述第一自旋軌道扭矩感應結構包括具有垂直磁各向異性的霍爾金屬；

第一磁隧道結堆疊件，設置在所述第一自旋軌道扭矩感應結構上方；

第一導線，耦合至所述第一自旋軌道扭矩感應結構的第一側；以及

第二導線，耦合至所述第一自旋軌道扭矩感應結構的第二側。

2.根據權利要求1所述的磁存儲器件，其中，所述第一自旋軌道扭矩感應結構包括第一非鐵磁金屬和第二鐵磁金屬的交替金屬層。

3.根據權利要求2所述的磁存儲器件，其中，所述第一金屬的底層的厚度大于所述第一金屬的第二層的厚度，所述第二金屬的第一層插入在所述底層和所述第二層之間。

4.根據權利要求2所述的磁存儲器件，其中，所述第一金屬具有第一晶格常數，并且所述第二金屬具有第二晶格常數，其中，所述第一晶格常數和所述第二晶格常數不同。

5.根據權利要求2所述的磁存儲器件，其中，所述第一金屬具有第一厚度，其中，所述第二金屬具有第二厚度，并且其中，所述第一自旋軌道扭矩感應結構不存在具有大于所述第一厚度的10倍或所述第二厚度的10倍的第三厚度的金屬種子層。

6.根據權利要求1所述的磁存儲器件，還包括：間隔層，插入在所述第一自旋軌道扭矩感應結構與所述第一磁隧道結堆疊件之間。

7.根據權利要求6所述的磁存儲器件，其中，所述間隔層包括金屬或金屬氧化物。

8.根據權利要求7所述的磁存儲器件，其中，所述間隔層包括氧化鋁、氧化鎂、氧化鈷、鎢、釕、鉑、鉬、鈦或鎂。

9.一種磁存儲器件，包括：

第一自旋軌道扭矩感應結構，所述第一自旋軌道扭矩感應結構包括霍爾金屬；

磁隧道結堆疊件，設置在所述第一自旋軌道扭矩感應結構上方，所述磁隧道結堆疊件包括插入在所述磁隧道結堆疊件的自由層和第一自旋軌道扭矩感應結構之間的間隔層；

第一導線，耦合至第一自旋軌道扭矩感應結構的第一側；以及

第二導線，耦合至第一自旋軌道扭矩感應結構的第二側。

10.一種磁存儲器件，包括：

第一自旋軌道扭矩感應結構，所述第一自旋軌道扭矩感應結構包括具有垂直磁各向異性的多層霍爾金屬；

第一磁隧道結堆疊件，設置在所述第一自旋軌道扭矩感應結構上方；

第一晶體管的第一源極/漏極，耦合至所述第一自旋軌道扭矩感應結構的第一側的；以及

第二晶體管的第二源極/漏極，耦合至所述第一自旋軌道扭矩感應結構的第二側。