[發明專利]一種箱式移動床廢氣凈化系統在審
| 申請號: | 202110476348.8 | 申請日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN113069885A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 孫紹堂 | 申請(專利權)人: | 孫紹堂 |
| 主分類號: | B01D53/06 | 分類號: | B01D53/06 |
| 代理公司: | 北京澤方譽航專利代理事務所(普通合伙) 11884 | 代理人: | 唐明磊 |
| 地址: | 510670 廣東省廣州市高新技術產業開發*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 箱式 移動 廢氣 凈化系統 | ||
1.一種箱式移動床廢氣凈化系統,其特征在于,包括:吸附凈化單元和再生冷卻單元,其中:
所述吸附凈化單元設置有多層吸附層,每層吸附層對應一個裝有吸附填料的穿孔填料箱,所述吸附凈化單元用于將上級吸附層的穿孔填料箱下移至下級吸附層的相對位置處,并將底層吸附層的穿孔填料箱送入所述再生冷卻單元,和通過每級吸附層凈化從下往上流動的有機廢氣;
所述再生冷卻單元設置有多層脫附冷卻層,每層脫附冷卻層對應一個裝有再生填料的穿孔填料箱,所述再生冷卻單元用于通過從下往上流動的熱氮或水蒸氣加熱每級脫附冷卻層的填料,在脫附結束后通過從下往上流動的空氣冷卻每級脫附冷卻層的填料,在冷卻結束后將上級脫附冷卻層的穿孔填料箱下移至下級脫附冷卻層的相對位置處,并將底層脫附冷卻層的穿孔填料箱送入所述吸附凈化單元。
2.根據權利要求1所述的箱式移動床廢氣凈化系統,其特征在于,所述吸附凈化單元包括吸附塔體、塔體蓋板、進料移動密封門、出料移動密封門、出料密封閘門、第一進料平臺、箱體升頂機構、箱體推進機構、箱體推出機構和箱體下移機構,其中:
所述吸附塔體內部設置有多層吸附層,所述塔體蓋板設置在所述吸附塔體頂部,所述進料移動密封門設置在所述塔體蓋板下方,所述進料移動密封門和其移動軌跡與所述塔體蓋板平行,所述進料移動密封門和所述塔體蓋板之間設置有待進料區域,所述待進料區域用于停放等待進入頂層吸附層的穿孔填料箱,所述頂層吸附層設置在所述進料移動密封門下方,所述進料移動密封門之間的吸附塔壁上設置有第一排氣口,所述底層吸附層下方設置有所述出料移動密封門,所述出料移動密封門和其移動軌跡與所述進料移動密封門平行,所述底層吸附層和所述出料移動密封門的吸附塔壁上設置有第一進氣口,所述出料移動密封門下方設置有待出料區域,所述待出料區域用于停放等待送入所述脫附再生單元的穿孔填料箱,所述待出料區域一側設置有出料口,所述出料口設置有所述出料密封閘門;
所述第一進料平臺設置于所述吸附塔體外側并安裝在所述箱體升頂機構上,所述第一進料平臺用于接收脫附再生單元送至的穿孔填料箱,所述箱體升頂機構用于將所述第一進料平臺升高至所述吸附塔體頂部,所述箱體推進機構設置在所述第一進料平臺內,所述箱體推進機構用于將所述第一進料平臺的穿孔填料箱推入所述待進料區域,所述箱體下移機構用于將所述待進料區域的穿孔填料箱下移至所述頂層吸附層的相對位置處,或將上級吸附層的穿孔填料箱下移至下級吸附層的相對位置處,所述箱體推出機構用于將所述待出料區域的穿孔填料箱推出所述待出料區域。
3.根據權利要求2所述的箱式移動床廢氣凈化系統,其特征在于,所述再生冷卻區單元包括第一脫附冷卻模塊、第二脫附冷卻模塊和第二進料平臺,所述第一脫附冷卻模塊與所述第二脫附冷卻模塊的結構相同,所述第一脫附冷卻模塊包括脫附冷卻塔體進料密封閘門、緩沖區域和箱體升降機構,所述第二進料平臺上設置有箱體平移機構,其中:
第一脫附冷卻模塊和第二脫附冷卻模塊的脫附冷卻塔體并排設置;所述第二進料平臺設置在所述脫附冷卻塔體外側,并連接所述第一脫附冷卻模塊和第二脫附冷卻模塊的進料口,所述第二進料平臺用于接收所述吸附凈化單元送來的穿孔填料箱;
所述脫附冷卻塔體設置有多層脫附冷卻層,所述緩沖區域設置在所述脫附冷卻塔體底部,所述緩沖區域一側設置有所述進料口,所述進料口設置有所述進料密封閘門,所述底層脫附冷卻層設置在所述緩沖區域上方,所述底層脫附冷卻層和所述緩沖區域之間的脫附冷卻塔壁上設置有第二進氣口,所述脫附冷卻塔體頂部設置有第二排氣口,其中,當所述再生冷卻單元運行再生冷卻工藝時,所述緩沖區域不停放所述穿孔填料箱;
所述箱體平移機構用于將所述第二進料平臺的穿孔填料箱體推進所述緩沖區域,或將所述緩沖區域中的穿孔填料箱拉進所述第二進料平臺,或將所述第二進料平臺的穿孔填料箱送往所述吸附凈化單元;所述箱體升降機構用于將所述底層脫附冷卻層的穿孔填料箱下移至所述緩沖區域,或將所述緩沖區域的穿孔填料箱上移至所述底層脫附冷卻層,或將上級脫附冷卻層的穿孔填料箱下移至下級脫附冷卻層的相對位置處,或將下級脫附冷卻層的穿孔填料箱上移至上級脫附冷卻層的相對位置處。
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