[發明專利]一種互連結構的形成方法在審
| 申請號： | 202110476125.1 | 申請日： | 2021-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN113192881A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 張鼎豐;閔源 | 申請（專利權）人： | 廣州粵芯半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 羅磊 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 互連 結構 形成 方法 | ||
1.一種互連結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，所述襯底表面形成有介質層，所述介質層中形成有暴露所述襯底表面的通孔；
依次形成粘附層及阻擋層，所述粘附層覆蓋所述介質層及所述通孔的內壁，所述阻擋層覆蓋所述粘附層；
形成第一導電層，所述第一導電層填充所述通孔并覆蓋所述阻擋層；
以所述阻擋層為研磨停止層，執行化學機械研磨工藝；以及，
形成第二導電層，所述第二導電層覆蓋所述阻擋層以及所述通孔中的第一導電層。
2.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，執行化學機械研磨時，通過檢測所述第一導電層的光學反射率的變化以確定所述研磨停止層。
3.根據權利要求2所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的光學反射率小于所述第一導電層的光學反射率。
4.根據權利要求3所述的互連結構的形成方法，其特征在于，檢測到所述阻擋層后，繼續執行化學機械研磨以過研磨200～300埃的厚度。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的互連結構的形成方法，其特征在于，直接在所述粘附層上形成所述阻擋層，或者對所述粘附層執行氮化從而形成阻擋層。
6.根據權利要求5所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述粘附層為鈦，所述阻擋層為氮化鈦。
7.根據權利要求6所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為800～1200埃。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述介質層為氧化硅。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述一導電層的材質為鎢。
10.根據權利要求1至4中任一項所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述第二導電層的材質為鋁。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
