[發(fā)明專利]一種利用納米壓痕技術(shù)測(cè)量材料表面殘余應(yīng)力的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110475802.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113188890B | 公開(公告)日: | 2022-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉平平;鐘韋;詹倩;萬發(fā)榮;韓文妥;易曉鷗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N3/02 | 分類號(hào): | G01N3/02;G01N3/42 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 朱艷華 |
| 地址: | 100083*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 納米 壓痕 技術(shù) 測(cè)量 材料 表面 殘余 應(yīng)力 方法 | ||
1.一種納米壓痕測(cè)量材料表面殘余應(yīng)力的方法,其特征在于,所述方法具體包括以下步驟:
S1)對(duì)擬測(cè)量材料進(jìn)行納米壓痕測(cè)試,得到擬測(cè)量材料的載荷-位移的關(guān)系曲線;
S2)對(duì)S1)得到擬測(cè)量材料的載荷-位移的關(guān)系曲線進(jìn)行微分運(yùn)算;
S3)根據(jù)S2)獲得的微分運(yùn)算結(jié)果得到載荷-位移的微分曲線和微分曲線的斜率值,根據(jù)得到的斜率值對(duì)比后得到測(cè)量材料表面殘余應(yīng)力狀態(tài);
具體步驟為:
S3.1)根據(jù)所述S2)得到微分計(jì)算結(jié)果,繪制載荷-位移的微分曲線,得到微分曲線的斜率值KI和KII,
S3.2)將S3.1)得到斜率值KI和KII同時(shí)代入判斷條件中進(jìn)行判斷,
當(dāng)曲線斜率值KI = KII時(shí),表明擬測(cè)量材料表面處于無應(yīng)力狀態(tài);
當(dāng)KI KII時(shí),表明擬測(cè)量材料的殘余應(yīng)力狀態(tài)為壓應(yīng)力;
當(dāng)KI KII時(shí),表明擬測(cè)量材料的殘余應(yīng)力狀態(tài)為拉應(yīng)力,最終得到擬測(cè)量材料表面殘余應(yīng)力的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述S1)具體包括以下步驟:
S1.1)將擬測(cè)量材料進(jìn)行預(yù)處理,
S1.2)將處理后的擬測(cè)量材料裝入測(cè)試裝置中,設(shè)置加載壓入深度,完成測(cè)試,
S1.3)根據(jù)測(cè)試結(jié)果獲得載荷-位移的曲線,計(jì)算后獲得擬測(cè)材料的平均納米硬度值H。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述S1.1)中的預(yù)處理具體為,采用丙酮溶液對(duì)擬測(cè)量材料的表面進(jìn)行清潔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述S1.2)中壓入深度取值為取預(yù)測(cè)厚度的5倍以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述S1.2)中的測(cè)試裝置為納米壓痕儀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述S1.3)中通過以下公式(1)獲得擬測(cè)材料納米硬度值H,計(jì)算公式如下:
H=F/A,(1)
式中,A為壓痕投影面積,F(xiàn)為加載的力即載荷。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述擬測(cè)量材料為金屬或非金屬。
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