[發明專利]一種應用于CMOS工藝的分形結構片上天線

有效

• 申請號: 202110475059.6
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113193333B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 唐紅艷;官鑫;徐文成張;吳韻秋;康凱
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q5/10;H01Q9/04;H01Q15/14;H01Q23/00
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種應用于CMOS工藝的分形結構片上天線，包括：從下往上依次層疊的接地層(1)、硅襯底層(2)、二氧化硅層(3)及鈍化層(4)；其特征在于，所述二氧化硅層(3)中設置有分形天線(5)與人工磁導體結構(6)，且人工磁導體結構(6)位于分形天線(5)的下方；所述鈍化層(4)上還設置有介質諧振器(7)；

所述分形天線包括：輻射貼片(8)、饋線(9)以及GSG結構(10)，所述輻射貼片通過饋線連接到GSG焊盤的信號端；所述輻射貼片由共頂點設置的第五切角菱形貼片(8-5)、第四切角菱形貼片(8-4)、第二切角菱形貼片(8-2)、第一切角菱形貼片(8-1)與第三切角菱形貼片(8-3)沿順時針方向依次拼接構成，每個切角菱形貼片的頂角均為72°，第五、第四、第三、第二切角菱形貼片的邊長分別為第一切角菱形貼片的邊長的5、4、3、2倍。

2.按權利要求1所述應用于CMOS工藝的分形結構片上天線，其特征在于，切角菱形貼片由菱形貼片沿頂角切扇形切角形成，扇形切角的圓心角為72°、且與菱形貼片的頂角重合，扇形切角的邊長與菱形貼片的邊長相等。

3.按權利要求1所述應用于CMOS工藝的分形結構片上天線，其特征在于，所述人工磁導體結構由若干個呈矩陣排列的人工磁導體單元(6-1)構成，且任意相鄰人工磁導體單元間的間距相同。

4.按權利要求1所述應用于CMOS工藝的分形結構片上天線，其特征在于，所述人工磁導體單元呈正方形金屬環狀、且四角均切相同尺寸正方形切角，所述正方形切角的邊長小于金屬環的環寬。

5.按權利要求1所述應用于CMOS工藝的分形結構片上天線，其特征在于，所述介質諧振器為矩形陶瓷介質塊。