[發(fā)明專利]一種氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜及其制備方法與應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110474887.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113186656A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于建香;劉洋;拜雪梅;劉孟嵐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京石油化工學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | D04H1/728 | 分類號(hào): | D04H1/728;D04H1/4382;D04H1/4309;A61L27/02;A61L27/16;A61L27/50;A61L27/54;A61L27/60;A23L3/358 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260 | 代理人: | 鄭立明;李闖 |
| 地址: | 102600 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 聚乙烯醇 復(fù)合 抗菌 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜,其特征在于,該氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜由含有氮化碳的聚乙烯醇納米纖維構(gòu)成;其中,部分氮化碳裸露在聚乙烯醇納米纖維外并鑲嵌于聚乙烯醇納米纖維中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜,其特征在于,該氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜中,氮化碳的質(zhì)量含量為聚乙烯醇相對(duì)質(zhì)量含量的0.5~5%。
3.一種氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,包括:將氮化碳的N,N-二甲基甲酰胺分散液與聚乙烯醇水溶液混合制成紡絲原液,并采用該紡絲原液進(jìn)行靜電紡絲,從而制得上述權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,所述紡絲原液中,聚乙烯醇占所述紡絲原液總質(zhì)量的5~10%,氮化碳占所述聚乙烯醇總質(zhì)量的0.5~5%,其余為溶劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,所述的采用該紡絲原液進(jìn)行靜電紡絲包括:將所述紡絲原液注入靜電紡絲裝置的注射泵中,并調(diào)節(jié)注射泵的泵出速度為0.5~2mL/h,采用靜電紡絲法將所述紡絲原液通過電場的靜電作用拉伸成超細(xì)纖維膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,在靜電紡絲過程中,紡絲電壓為15~24kV,紡絲接收距離為12~25cm,紡絲溫度為15~25℃,控制紡絲時(shí)間為10min~60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,所述氮化碳的N,N-二甲基甲酰胺分散液的制備方法包括:將尿素放入坩堝中并置于馬弗爐中燒結(jié),從而制得氮化碳;然后將所述氮化碳分散于N,N-二甲基甲酰胺中,從而得到氮化碳的N,N-二甲基甲酰胺分散液。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的制備方法,其特征在于,所述聚乙烯醇水溶液的制備方法包括:將聚乙烯醇、甘油和水在常溫下攪拌1小時(shí),然后在90℃下加熱攪拌1小時(shí),從而制得聚乙烯醇水溶液。
9.一種氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜的應(yīng)用,其特征在于,將上述權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的氮化碳-聚乙烯醇復(fù)合抗菌膜用于抑菌用途的制品。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京石油化工學(xué)院,未經(jīng)北京石油化工學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110474887.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





