[發明專利]一種扇出型芯片的封裝方法有效
| 申請號： | 202110474659.0 | 申請日： | 2021-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN113192850B | 公開（公告）日： | 2023-09-01 |
| 發明（設計）人： | 謝建友 | 申請（專利權）人： | 長沙新雷半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 410000 湖南省長沙市天心區芙蓉中路三段38*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 扇出型 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在保護層(1)上貼裝芯片(2)；
S2：利用塑封料制作塑封層(3)，所述塑封層(3)與所述保護層(1)將所述芯片(2)包覆；
S3：去除所述保護層(1)，露出所述芯片(2)與所述保護層(1)貼合的面；
S4：翻轉塑封后的所述芯片(2)使外露面朝上；
S5：在所述芯片(2)的外露面一次成型制作金屬線路層(4)，所述金屬線路層(4)包括多層金屬線路；
S6：在所述金屬線路層(4)灌筑液態絕緣材料制作絕緣介質層(5)；
S7：烘烤固化所述絕緣介質層(5)；
所述金屬線路層(4)的多層金屬線路通過一次成型的方法形成立體結構，
所述金屬線路層(4)及所述絕緣介質層(5)均是通過3D打印的方式制作的。
2.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，所述保護層(1)為鍵合薄膜，步驟S3中的去除所述保護層(1)是利用解鍵合的方式使所述鍵合薄膜與所述芯片(2)分離。
3.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，相鄰的所述金屬線路之間通過金屬立柱(41)連接。
4.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，所述保護層(1)遠離所述芯片(2)的一側設置有載板(6)。
5.根據權利要求4所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，所述載板(6)材料為玻璃、氧化鋁、單晶硅、氮化鋁、氧化鈹、碳化硅、藍寶石中的一種。
6.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，所述保護層(1)上間隔貼裝有多個所述芯片(2)。
7.根據權利要求6所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，還包括：
S8：在所述芯片(2)之間的間隔處切割成多個封裝顆粒(7)。
8.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，步驟S5中制作所述金屬線路層(4)后，通過金屬引線電連接所述金屬線路層(4)及所述芯片(2)。
9.根據權利要求1所述的扇出型芯片的封裝方法，其特征在于，所述金屬線路層(4)的材料為Cu、Al、W、Sn、Au或Sn-Au合金中的一種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
