[發明專利]半導體元件的承載結構、形成方法、修補方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202110474632.1
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113193095B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 張健承
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 傅磊;黃艷

一種半導體元件的承載結構及形成方法、容置結構的修補方法，半導體元件的承載結構包括第一基板、第一電極、第二電極、第一孔洞、第三電極以及半導體元件。第一電極和第二電極設置于第一基板上，第一電極和第二電極相對設置。第一孔洞設置于第一電極和第二電極之間。第三電極設置于第一電極和第二電極上，第三電極為環狀且具有第二孔洞，第二孔洞暴露第一孔洞。半導體元件設置于該第三電極上。

技術領域

本發明關于一種利用環狀電極承載半導體元件的半導體元件的承載結構、顯示面板、半導體元件的承載結構形成方法以及半導體元件的容置結構的修補方法。

背景技術

近來顯示技術的進步突飛猛進，對顯示器的畫質要求也越來越高，而目前的顯示器為以發光二極管(light-emitting?diode,LED)顯示器和有機發光二極管顯示器(organic?light-emitting?diode,OLED)顯示器為主，有機發光二極管顯示器的像素雖高，但有機發光二極管的壽命不長；發光二極管顯示器像素雖低于有機發光二極管顯示器的像素，但發光二極管的壽命較高。因此，近來廠商想將發光二極管的尺寸縮小為微發光二極管(micro?light-emitting?diode,micro-LED)，并將微發光二極管應用于顯示器，但是，由于微發光二極管的尺寸為微米等級，勢必需要犧牲結構的輔助來進行巨量轉移(masstransfer)，以將微發光二極管順利地轉移至顯示器的電路板，但利用微發光二極管制造的顯示器良率始終無法改善。

綜觀前所述，本發明的發明者思索并設計一種半導體元件的承載結構及其形成方法，以期針對現有技術的缺失加以改善，進而增進產業上的實施利用。

發明內容

基于上述目的，本發明提供一種半導體元件的承載結構及其形成方法，用以解決現有技術中所面臨的問題。

基于上述目的，本發明提供一種半導體元件的承載結構，其包括第一基板、第一電極、第二電極、第一孔洞、第三電極以及半導體元件。第一電極和第二電極設置于第一基板上，第一電極和第二電極相對設置。第一孔洞設置于第一電極和第二電極之間。第三電極設置于第一電極和第二電極上，第三電極為環狀且具有第二孔洞，第二孔洞暴露第一孔洞。半導體元件設置于第三電極上。

在本發明的實施例中，本發明進一步包括晶體管層，晶體管層設置于第一基板上，晶體管層包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管設置于第一基板和第一電極之間，第二晶體管設置于第一基板和第二電極之間。

在本發明的實施例中，第三電極具有第一導電區和第二導電區，第一導電區對應第一電極且部分覆蓋第一電極，第二導電區對應第二電極且部分覆蓋第二電極，第一導電區和第二導電區電性連接半導體元件。

在本發明的實施例中，第一電極和第二電極處于相同膜層。

在本發明的實施例中，半導體元件以第二孔洞為中心的旋轉范圍為-108度至108度。

在本發明的實施例中，第三電極的截面形狀為圓形或多邊形。

基于上述目的，本發明提供一種顯示面板，其包括第一區以及第二區。第一區包括前述半導體元件的承載結構。第二區包括半導體元件的容置結構，半導體元件的容置結構包括第二基板、第四電極、第五電極、第三孔洞以及初始半導體元件。第四電極設置于第二基板上。第五電極設置于第二基板上，第四電極和第五電極相對設置。第三孔洞設置于第四電極和第五電極之間。初始半導體元件設置于第三孔洞。

在本發明的實施例中，半導體元件的容置結構包括第三晶體管以及第四晶體管，第三晶體管和第四晶體管設置于第二基板上，第三晶體管設置于第二基板和第四電極之間，第四晶體管設置于第二基板和第五電極之間。

在本發明的實施例中，其中第四電極和第五電極設置于相同膜層，第三晶體管和第四晶體管設置于相同膜層。