[發明專利]一種閃存器的數據寫入方法及閃存器有效
| 申請號: | 202110474501.3 | 申請日: | 2018-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN113220602B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 萬維俊;李躍平 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F12/0873 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遙;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 閃存 數據 寫入 方法 | ||
本發明公開了一種閃存器的數據寫入方法及閃存器,一種閃存器包括:緩存寄存器,用于緩存單頁大小的頁數據;頁數據所屬的頁類型為以下之一:低頁LP、中頁MP、高頁UP;一個物理頁包括:一個LP、一個MP及一個UP;數據寄存器,包括:存儲不同頁類型的頁數據的子數據寄存器;閃存陣列,用于存儲控制器寫入的頁數據;控制器,分別與緩存寄存器和數據寄存器連接,用于在數據寄存器將第N物理頁寫入到閃存陣列的過程中,允許緩存寄存器插入第(N+1)物理頁的頁數據,并允許將緩存寄存器中當前緩存的第(N+1)物理頁的頁數據,從緩存寄存器移動至與緩存寄存器當前緩存的第(N+1)物理頁的頁數據的頁類型對應空閑的子數據寄存器;其中,N為自然數。
本申請是申請日為2018年10月09日、申請號為201811173662.3、發明名稱為“一種閃存器的數據寫入方法及閃存器”的中國專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及一種閃存器的數據寫入方法及閃存器。
背景技術
在NAND閃存中,有緩存寄存器(Cache?page?buffer)和數據寄存器(Data?pagebuffer),數據寫入先快速存儲在緩存寄存器,然后再移動到數據寄存器,相關技術中,在將數據寫入閃存器的物理陣列的一次編程過程中,僅能實現一次頁數據從緩存寄存器到數據寄存器的移動,導致當編程寫入物理陣列的數據頁的數量為一個以上時,需要等待編程結束后,單獨的進行頁數據從緩存寄存器到數據寄存器的移動,使得數據寫入到閃存陣列的效率低下,且編程沒有連續性。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種閃存器的數據寫入方法及閃存器,能夠在一次編程過程中,實現將不同類型的頁數據從緩存寄存器移動至數據寄存器的移動,保證了編程的連續性。
本發明實施例的技術方案是這樣實現的:
本發明實施例提供了一種閃存器,包括:
緩存寄存器,用于緩存單頁大小的頁數據;所述頁數據所屬的頁類型為以下之一:低頁LP、中頁MP、高頁UP;一個物理頁包括:一個所述LP、一個所述MP及一個所述UP;
數據寄存器,包括:存儲不同頁類型的頁數據的子數據寄存器;
閃存陣列,用于存儲控制器寫入的所述頁數據;
所述控制器,分別與所述緩存寄存器和所述數據寄存器連接,用于在所述數據寄存器將第N物理頁寫入到所述閃存陣列的編程過程中,允許所述緩存寄存器插入第(N+1)物理頁的頁數據,并允許將所述緩存寄存器中當前緩存的第(N+1)物理頁的頁數據,從所述緩存寄存器移動至與所述緩存寄存器當前緩存的第(N+1)物理頁的頁數據的頁類型對應空閑的子數據寄存器;其中,N為自然數。
上述方案中,所述控制器,還用于控制在所述數據寄存器存儲了所述LP、所述MP及所述UP的頁數據之后,將所述數據寄存器存儲的頁數據寫入所述閃存陣列。
上述方案中,所述控制器,還用于在所述數據寄存器中存儲有類型分別為所述LP、所述MP及所述UP的頁數據之后,對所述數據寄存器存儲的頁數據進行編碼轉換,得到對應的不同狀態位的狀態編碼;
其中,所述不同狀態位中包括用于指示頁數據從所述緩存寄存器移動至所述數據寄存器的狀態標識位。
上述方案中,所述控制器,還用于對所述數據寄存器存儲的頁數據進行編碼轉換之前,控制所述緩存寄存器中的頁數據移動至所述數據寄存器,使得所述數據寄存器中存儲的頁數據的頁類型包括所述LP、所述MP及所述UP。
上述方案中,所述控制器,還用于控制所述緩存寄存器中的頁數據移動至所述數據寄存器之后,釋放所述緩存寄存器,使得所述緩存寄存器繼續存儲依據特定類型排序寫入的下一頁頁數據。
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