[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110474143.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN113809075A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅伊辰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/088
• 分類號(hào): H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

本公開提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括基板、位于基板上方的鰭片結(jié)構(gòu)、位于鰭片結(jié)構(gòu)上方的柵極結(jié)構(gòu)、形成于鰭片結(jié)構(gòu)中并鄰近于柵極結(jié)構(gòu)的第一內(nèi)間隔層、以及延伸穿過第一內(nèi)間隔層的第二內(nèi)間隔層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法，尤其涉及一種具有間隔物結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步增加了對(duì)具有更高存儲(chǔ)容量、更快的處理系統(tǒng)、更高性能及更低成本的半導(dǎo)體裝置的需求。為了滿足這些需求，半導(dǎo)體工業(yè)持續(xù)微縮化例如納米片(nano-sheet)FETs的半導(dǎo)體裝置的尺寸。如此微縮化增加了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以解決上述至少一個(gè)問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：基板；鰭片結(jié)構(gòu)，位于基板上方；柵極結(jié)構(gòu)，位于鰭片結(jié)構(gòu)上方；第一內(nèi)間隔層，形成于鰭片結(jié)構(gòu)中并鄰近于柵極結(jié)構(gòu)；及第二內(nèi)間隔層，延伸穿過第一內(nèi)間隔層。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：基板；鰭片結(jié)構(gòu)，位于基板上方；柵極結(jié)構(gòu)，形成于鰭片結(jié)構(gòu)中；源極/漏極(source/drain,S/D)區(qū)，形成于鰭片結(jié)構(gòu)中并與柵極結(jié)構(gòu)分離；第一內(nèi)間隔層，形成于鰭片結(jié)構(gòu)中并鄰近于柵極結(jié)構(gòu)；及第二內(nèi)間隔層，從柵極結(jié)構(gòu)延伸至S/D區(qū)，其中第一內(nèi)間隔層位于第二內(nèi)間隔層的側(cè)面上方。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成鰭片結(jié)構(gòu)于基板上方；形成第一凹陷結(jié)構(gòu)于鰭片結(jié)構(gòu)中，以露出鰭片結(jié)構(gòu)的側(cè)面；形成第一內(nèi)間隔層，突出至鰭片結(jié)構(gòu)的側(cè)面中；形成第二凹陷結(jié)構(gòu)于鰭片結(jié)構(gòu)中，以露出第一內(nèi)間隔層的另一側(cè)面；及形成第二內(nèi)間隔層于另一側(cè)面上方。

附圖說明

本公開的各面向從以下詳細(xì)描述中配合附圖可最好地被理解。

圖1A為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置的等角視圖。

圖1B及圖1C為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖2為根據(jù)一些實(shí)施例，示出用于制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

圖3為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置在其制造工藝的階段的等角視圖。

圖4A至圖11A及圖4B至圖11B為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置在其制造工藝的各個(gè)階段的剖面圖。

圖12為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置制造設(shè)備平面圖。

圖13為根據(jù)一些實(shí)施例，示出半導(dǎo)體裝置制造設(shè)備的平臺(tái)的各種操作位置。

現(xiàn)在將參考附圖描述說明性實(shí)施例。在附圖中，相似的參考數(shù)值通常表示相同、功能相似及/或結(jié)構(gòu)相似的元件。

附圖標(biāo)記如下：

100：半導(dǎo)體裝置

101：FET

102：基板

104：柵極間隔物

104F：正面

106：第三內(nèi)間隔物

108：鰭片結(jié)構(gòu)

110：柵極結(jié)構(gòu)

112：介電層

114：柵極電極

120：緩沖區(qū)

122：通道區(qū)

124：S/D區(qū)

130：層間介電層