[發明專利]一種發光二極管、光電模塊及顯示裝置

有效

• 申請號: 202110474111.6
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113363364B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 何安和;林素慧;曾江斌;盧超;黃敏;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 廈門加減專利代理事務所(普通合伙) 35234
• 代理人: 李強;楊澤奇

本發明涉及發光二極管制造技術領域，特別涉及一種發光二極管、光電模塊及顯示裝置。本發明通過控制發光二極管第二接觸電極的條狀部分與發光二極管表面幾何中心的最小間距，既擴大頂針作業窗口，避免頂針頂破接觸電極凸起區域而容易頂破導致芯片異常的問題，又通過設置第二焊盤電極上通過的位置，避免了因接觸電極進行變化導致的電流變化而引起的發光二極管發光不均勻的問題。

技術領域

本發明涉及發光二極管制造技術領域，特別涉及一種發光二極管、光電模塊及顯示裝置。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)具有成本低、光效高、節能環保等優點，被廣泛應用于照明、可見光通信及發光顯示等場景。LED芯片分為正裝結構、倒裝結構和垂直結構三種。與傳統的正裝芯片相比，倒裝芯片具有高電流、可靠和使用簡便等優點，目前已得到大規模應用。

目前，部分倒裝LED包括襯底和外延結構，而外延結構包括依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層；第一電極，位于第一半導體層之上，電連接至第一半導體層，至少包括第一焊盤電極和第一接觸電極，第一接觸電極與第一半導體層形成歐姆接觸；第二電極，位于第二半導體層之上，電連接至第二半導體層，至少包括第二焊盤電極；絕緣層，位于第二半導體層之上，并覆蓋第一接觸電極，第一焊盤電極和第二焊盤電極形成在絕緣層上，第一焊盤電極和第二焊盤電極上均分別設置有貫穿絕緣層的兩個通孔，焊盤電極通過通孔與第一/第二接觸電極和第一/第二半導體層電連接。

發光二極管的倒裝結構，即把正裝芯片倒置，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出，基于這種倒裝結構設計的發光二極管稱為倒裝型發光二極管。本領域技術人員為了一些目的，會調整發光二極管的結構，如圖1所示，目前倒裝芯片的接觸電極的條狀部分凸起區域落在頂針的作業區域，則在封裝固晶時，頂針會直接頂在芯片正面，若頂針頂在指狀電極凸起區域時，則容易頂破導致芯片異常（如圖2所示）。申請人在申請號為2021100962764的專利中提出了，為了避免封裝固晶時，頂針容易頂破接觸電極凸起區域而容易頂破導致芯片異常的問題，改變接觸電極條狀部分的位置，以繞開頂針作業區域。又或是，出于其余目的，做出對接觸電極條狀部分結構或者位置的其它設計。

然而，在接觸電極的結構形狀或者位置發生一定改變的時候，發光二極管的內部電流將會發生異常，進而引起發光二極管發光不均勻的問題。

發明內容

為了解決上述背景技術中提到的接觸電極結構形狀或者位置發生變化后，發光二極管的內部電流將會發生異常，從而導致的電流變化引起發光二極管發光相對不均勻的問題，本發明提供一種發光二極管，包括：

襯底；

襯底上的外延結構，包括在襯底上由下至上依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層；

第一電極和第二電極，其中所述第一電極電連接至第一半導體層，所述第二電極電連接至第二半導體層；所述第一電極至少包括第一焊盤電極，所述第二電極至少包括第二焊盤電極和第二接觸電極，第二接觸電極位于第二半導體層之上，所述第二接觸電極至少兩個，其中一個第二接觸電極具有條狀部分；

絕緣層，位于所述第二半導體層之上，并覆蓋所述第二接觸電極，所述第二焊盤電極形成在所述絕緣層上，且設置有貫穿所述絕緣層的第一通孔和第二通孔；

所述第二焊盤電極通過所述第一通孔與所述具有條狀部分的第二接觸電極電連接，通過所述第二通孔與其它的第二接觸電極電連接；

從外延結構的遠離所述襯底的一側俯視所述發光二極管：

所述發光二極管具有四個邊，四個邊在一個環繞方向上依次定義為第一短邊、第一長邊、第二短邊和第二長邊，所述的第一短邊相對于第一長邊和第二長邊更短；

第一焊盤電極相對于第二焊盤電極更靠近第一短邊；