[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 202110473369.4 | 申請日： | 2021-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN113594125B | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發明（設計）人： | 里卡多·楊多克;弗洛蘭特·費諾爾;馬龍·法杜洛;拉米爾·阿蒂恩薩 | 申請（專利權）人： | 安世有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 張娜;李榮勝 |
| 地址： | 荷蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
引線框，
管芯，其利用第一焊料附接到所述引線框，
夾片，其利用第二焊料附接到所述管芯，
其中，所述夾片包括用于檢查所述第二焊料的過量而布置的切口，
其中，所述半導體裝置是MOSFET裝置，所述MOSFET裝置包括源極、柵極和漏極，其中，所述切口位于所述源極與所述漏極之間以及/或者所述柵極與所述漏極之間。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述切口的形狀為矩形或半圓形。
3.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中，所述切口通過銅沖壓工藝或蝕刻工藝制成。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述切口的形狀是半圓形，并且其中，所述半圓形的半徑與所述夾片的厚度具有相同或相似的尺寸。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述半圓形的半徑和所述夾片的厚度為大約0.2mm。
6.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：
形成引線框，
利用第一焊料將管芯附接到所述引線框，
利用第二焊料將夾片附接到所述管芯，
其中，所述夾片包括用于檢查所述第二焊料的過量而布置的切口，
其中，所述半導體裝置是MOSFET裝置，所述MOSFET裝置包括源極、柵極和漏極，其中，所述切口位于所述源極與所述漏極之間以及/或者所述柵極與所述漏極之間。
7.根據權利要求6所述的制造半導體裝置的方法，其中，所述切口的形狀為矩形或半圓形。
8.根據權利要求6或7所述的制造半導體裝置的方法，所述切口通過銅沖壓工藝或蝕刻工藝制成。
9.根據權利要求7所述的制造半導體裝置的方法，其中，所述切口的形狀是半圓形，并且其中，所述半圓形的半徑與所述夾片的厚度具有相同或相似的尺寸。
10.根據權利要求9所述的制造半導體裝置的方法，其中，所述半圓形的半徑和所述夾片的厚度為大約0.2mm。
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