[發明專利]一種光伏組件用反射膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202110472298.6
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113114101A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 張紅星;李慶義;宋戈;彭文博;鄭清偉;高虎;房小源;齊國營;王本忠;郭春友;吳智強;李曉磊;田鴻翔;馬銘遠
• 申請（專利權）人: 華能陜西發電有限公司;中國華能集團清潔能源技術研究院有限公司;華能陜西發電有限公司新能源分公司
• 主分類號: H02S40/22
• 分類號: H02S40/22;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/30
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李鵬威

1.一種光伏組件用反射膜，其特征在于，包括：基底(10)和設置于基底上的鍍膜；

所述鍍膜包括依次交疊設置在基底上的第一材料鍍膜層(11)和第二材料鍍膜層(12)；

鍍膜的底層和最頂層均為第一材料鍍膜層；第一材料鍍膜層(11)和第二材料鍍膜層(12)由折射率不同的材料制成。

2.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，第一材料鍍膜層(11)的折射率大于第二材料鍍膜層(12)的折射率。

3.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，所述光伏組件用反射膜的截止波長為900nm。

4.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，基底(10)的材質為鋁片、鋼片、銅片、玻璃片或石英片。

5.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，基底(10)的材質為高硼硅玻璃。

6.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，基底(10)的材質柔性塑料。

7.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，第一材料鍍膜層(11)和第二材料鍍膜層(12)分別由Ta₂O₅和SiO₂沉積制成。

8.根據權利要求7所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，所述鍍膜包括51層，51層由下至上的結構具體為：0.377H 0.579L 0.396H 0.586L 1.21H 0.103L 2.075H 0.233L1.526H 1.653L 0.364H 1.682L 0.266H 1.351L 1.164H 1.156L 0.634H 0.367L 0.544H0.967L 0.366H 1.065L 1.506H 0.686L 2.385H 1.08L 0.892H 0.736L 0.666H 1.073L1.45H 0.153L 0.375H 0.767L 0.384H 0.015L 1.407H 1.128L 1.206H 1.087L 0.359H0.458L 0.539H 1.925L 0.53H 1.952L 0.66H 0.27L 0.247H 2.805L 0.037H；

其中，H表示高折射率的第一材料鍍膜層(11)，L表示低折射率的第二材料鍍膜層(12)；厚度單位為nm。

9.根據權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜，其特征在于，所述光伏組件用反射膜的工作角度為45°，400～900nm波段透過率在20～30％之間，900nm～1800nm波段透過率為T≥80％。

10.權利要求1所述的一種光伏組件用反射膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、將真空室抽真空至5×10^-3Pa，打開烘烤系統，溫度設定為250℃，當溫度達到設定值250℃后，保溫一小時；

2)、鍍膜前向真空室充入25sccm的Ar氣體，對基底(10)進行離子束轟擊進行基底清洗，轟擊電壓為200V，電流為4A，轟擊時間15分鐘；

3)、按鍍膜結構，逐層制備鍍膜，完成反射膜的制備；其中，第一材料鍍膜層(11)和第二材料鍍膜層(12)分別由Ta₂O₅和SiO₂蒸鍍制得，Ta₂O₅和SiO₂都采用電子槍蒸發，蒸發速率分別為0.4nm/s和1nm/s。