[發(fā)明專利]減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110471761.5 | 申請日： | 2021-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN113300675A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳瑩梅;陳奕鋼;朱恩 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué);網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F3/08 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減小 穩(wěn)定 時間 突發(fā) 模式 接收機(jī) 放大器 電路 | ||
1.一種減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，電路具體包括：
晶體管Q1的基極接輸入電流Iin和反饋電阻RF的第一端，晶體管Q1的集電極接晶體管Q2的發(fā)射級，晶體管Q1的發(fā)射級接地，
晶體管Q2的基極接偏置電壓Vb，晶體管Q2的集電極接電阻R1的第一端和晶體管Q3的基極，
晶體管Q3的集電極接PMOS管M1的柵極、漏極和PMOS管M2的柵極，晶體管Q3的發(fā)射級接電阻R4的第一端和反饋電阻RF的第二端，
PMOS管M1的源極接電源電壓VDD，PMOS管M2的漏極接電阻R2的第一端和電阻R3的第一端，PMOS管M2的源極接電源電壓VDD，電阻R1的第二端接電源電壓VDD，電阻R2的第二端接地，電阻R3的第二端接電容C1的第一端，電阻R4的第二端接地，電容C1的第二端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，所述晶體管Q3的基極為輸出節(jié)點(diǎn)Vout；所述電阻R3的第二端為輸出節(jié)點(diǎn)Vcm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，所述Vcm和參考電壓Vref經(jīng)過比較器產(chǎn)生控制反饋電阻RF電阻值的電壓信號Vc。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，所述電阻R3與電容C1相連構(gòu)成低通濾波器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，光電二極管產(chǎn)生電流信號Iin輸入至跨阻放大器，所述跨阻放大器將所述電流信號Iin放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號Vcm，所述電壓信號Vcm和參考電壓Vref經(jīng)過比較器產(chǎn)生控制反饋電阻RF電阻值的電壓信號Vc，所述跨阻放大器輸出電壓Vout。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的減小穩(wěn)定時間的突發(fā)模式光接收機(jī)跨阻放大器電路，其特征在于，所述電路采用BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)。
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