[發(fā)明專利]半導體結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110471280.4
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113200510A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 葉昶麟
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開涉及半導體結構。通過疏水材料與親水材料形成密封材的限制區(qū)，解決了密封材不易控制的問題，改善了產(chǎn)品的性能，提高了產(chǎn)品的良率。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體涉及半導體結構。

背景技術

隨著封裝技術的演進，各式各樣的封裝結構亦推陳出新，整體封裝尺寸也越來越小，其中微機電系統(tǒng)(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)為半導體與精密機械之整合，通過微傳感器與微制動器與外界環(huán)境進行溝通連結，進而連動其他機制行為。現(xiàn)在，MEMS封裝結構已具高強度、高性能且價格低的優(yōu)勢，是未來重點。

傳統(tǒng)MEMS揚聲器封裝結構通常在基板端或者MEMS端設計密封環(huán)(seal ring)，以避免聲波經(jīng)過反射后干涉同相音波(即反相音波干涉同相音波)。然而由于seal ring與連接MEMS及基板之間的焊接材料(solder material)由不同制程制作，制程較復雜，加上若基板相對MEMS之間有翹曲(warpage)問題，密封環(huán)則不易于基板及MEMS之間形成密封，甚至因為流動不易控制的關系蓋住音孔，進而影響MEMS揚聲器封裝結構的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本公開提供了半導體結構。

第一方面，本公開提供了一種半導體結構，該半導體結構包括：第一電子元件，第一電子元件的下表面具有第一限制區(qū)域；第二電子元件，第二電子元件的上表面具有第二限制區(qū)域；密封材，設于第一限制區(qū)域與第二限制區(qū)域之間；第一限制區(qū)域、第二限制區(qū)域以及密封材具有相同的材料表面特性。

在一些可選的實施方式中，第二電子元件的上表面具有圍繞第二限制區(qū)域的第三限制區(qū)域，第三限制區(qū)域與第一限制區(qū)域具有不同的材料表面特性。

在一些可選的實施方式中，第一限制區(qū)域、第二限制區(qū)域以及密封材具有相同的材料表面特性，包括：第一限制區(qū)域、第二限制區(qū)域以及密封材具有親水性。

在一些可選的實施方式中，第三限制區(qū)域具有疏水性。

在一些可選的實施方式中，第一限制區(qū)域、第二限制區(qū)域以及密封材具有相同的材料表面特性，包括：第一限制區(qū)域、第二限制區(qū)域以及密封材具有疏水性。

在一些可選的實施方式中，第三限制區(qū)域具有親水性。

在一些可選的實施方式中，第一限制區(qū)域具有金屬層。

在一些可選的實施方式中，第二限制區(qū)域設有第一金屬環(huán)。

在一些可選的實施方式中，第一限制區(qū)域具有金屬層和疏水改質(zhì)層。

在一些可選的實施方式中，第三限制區(qū)域設有第二金屬環(huán)。

在一些可選的實施方式中，第二電子元件設有音孔；以及音孔內(nèi)壁設有金屬限制層，第二金屬環(huán)和金屬限制層定義出第二限制區(qū)域。

在一些可選的實施方式中，第一電子元件與第二電子元件之間設有導電焊墊。

在一些可選的實施方式中，第一電子元件為微機電揚聲器，第二電子元件為基板。