[發明專利]動態隨機存取存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 202110471016.0
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113206093B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 陳琳;朱寶;孫清清;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種動態隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

晶體管，設置于所述襯底的上表面；

電容器，設置于所述襯底內部且與所述晶體管電接觸，所述電容器包括第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽的朝向方向不同且相連通構成所述電容器的三維骨架；

所述晶體管包括柵介質層、柵極、柵極側墻、漏極和源極，所述第一溝槽與所述源極遠離所述柵介質層的一側壁抵接，所述第二溝槽設置于所述晶體管的下方。

2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一溝槽和所述第二溝槽垂直設置。

3.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述電容器包括下極板、絕緣介質和上極板，所述上極板除位于所述襯底的上表面一端的表面外的其他表面均與所述絕緣介質的一表面抵接，所述絕緣介質的另一對稱表面與所述下極板的一表面抵接，所述下極板的另一對稱表面與所述三維骨架的表面抵接。

4.根據權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述下極板和所述上極板的組成材料均為金屬或金屬化合物，構成所述上極板的組成材料與構成所述下極板的組成材料相同或不同。

5.根據權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述柵介質層設置于所述襯底的上表面，所述柵極覆蓋于所述蓋柵介質層的上表面，所述柵極側墻設置于所述襯底的上表面且位于所述柵介質層和所述柵極的兩側，所述漏極和所述源極設置于所述襯底內且分別與兩側的所述柵極側墻抵接，所述源極與所述下極板電接觸。

6.根據權利要求5所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述襯底具有第一導電類型，所述漏極和所述源極具有第二導電類型，所述第一導電類型和所述第二導電類型相反。

7.一種如權利要求1-6中任意一項所述的動態隨機存取存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S0：提供所述襯底；

S1：在所述襯底的內部形成所述第一溝槽和所述第二溝槽，使所述第一溝槽和所述第二溝槽的朝向方向不同且相連通構成所述電容器的三維骨架；

S2：在所述三維骨架中形成所述電容器；

S3：在所述襯底的上表面形成所述柵介質層、所述柵極、所述柵極側墻、所述漏極和所述源極以構成所述晶體管，且使所述第一溝槽與所述源極遠離所述柵介質層的一側壁抵接，使所述第二溝槽設置于所述晶體管的下方，從而使所述晶體管與所述電容器電接觸。

8.根據權利要求7所述的動態隨機存取存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括以下步驟：

S11：在所述襯底內部形成標定結構層；

S12：在所述襯底內部形成所述第一溝槽，使所述第一溝槽的一部分與所述標定結構層抵接；

S13：去除所述標定結構層形成與所述第一溝槽相連通的所述第二溝槽，以構成所述電容器的三維骨架。

9.根據權利要求8所述的動態隨機存取存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟S11中，通過離子注入的方式在所述襯底內部形成所述標定結構層。

10.根據權利要求8所述的動態隨機存取存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟S12中，在所述襯底內部形成所述第一溝槽的步驟包括：

S121：在所述襯底的上表面旋涂光刻膠，并通過曝光和顯影工藝形成用于限定第一溝槽的刻蝕形狀；

S122：通過蝕刻工藝按所述第一溝槽的刻蝕形狀刻蝕出所述第一溝槽。