[發(fā)明專利]一種PN微米線制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110470930.3
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113161414B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發(fā)明（設計）人: 趙樂
• 申請（專利權）人: 齊魯工業(yè)大學
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;B81C1/00
• 代理公司: 濟南格源知識產權代理有限公司 37306
• 代理人: 韓洪淼

1.一種PN微米線制備方法，所述PN微米線包括微米線、P型接觸面和N型接觸面，其特征在于，所述方法包括：

利用分子束外延生長方法制備PN結樣品，并獲取P型層厚度、N型層厚度和緩沖層厚度；

根據P型層厚度、N型層厚度和緩沖層厚度計算微米線刻蝕深度和N型接觸面刻蝕深度；

利用濕蝕刻根據微米線刻蝕深度和N型接觸面刻蝕深度在PN結樣品上刻蝕出微米線和N型接觸面；

在P型接觸面和N型接觸面上沉積金屬膜；

所述方法還包括：

根據預先設計的微米線形狀和寬度在PN結樣品上刻蝕70nm深的微米線；

所述方法還包括：

清洗PN結樣品并在PN結樣品上均勻涂抹光刻膠；

在帶有N型接觸面圖案的掩膜板下曝光涂覆有光刻膠的PN結樣品，并在顯影劑中溶解掉曝光部分的光刻膠；

使用酸溶液作為蝕刻劑，在N型接觸面區(qū)域刻蝕90nm深度到達N型層；

清除現(xiàn)有光刻膠層，再次涂覆光刻膠，并在帶有N型接觸面圖案和P型接觸面圖案的掩膜板下曝光，在顯影劑中溶解掉曝光部分的光刻膠；

利用蒸發(fā)法在PN結樣品上沉積金屬薄膜，并利用光刻膠溶劑剝離涂覆在光刻膠層上的金屬薄膜，得到N型接觸面和P型接觸面；

所述PN結樣品的P型層厚度為60nm，N型層厚度為50nm，緩沖層厚度為20nm，緩沖層在P型層與N型層之間。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗PN結樣品的方法是使用丙酮和異丙酮在超凈間中進行清洗。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，以旋轉涂抹的方式在PN結的P型層上涂抹光刻膠，旋轉速度為4000rpm，光刻膠的涂覆厚度為1.4μm。