[發明專利]一種納米銀導電膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202110470079.4
• 申請日: 2021-04-28
• 公開（公告）號: CN113130138B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 鄭時恒;謝才興
• 申請（專利權）人: 江蘇軟訊科技有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 李帥

本發明公開了一種納米銀導電膜及其制備方法，包括以下步驟：(1)涂布光刻膠：取基材，在其表面涂布光刻膠，形成光刻膠層，制得基材A；(2)涂布保護層：在基材A的光刻膠層上涂布保護層材料，形成保護層，制得基材B；(3)曝光：取基材B，照射紫外光進行曝光處理，制得基材C；(4)顯影：取顯影液將基材C顯影處理，形成凹槽，制得基材D；(5)制備導電網格：在基材D的凹槽中填充銀漿，形成導電網格，制得導電膜。本發明在涂布光刻膠后涂布保護層，保護層隨光刻膠進行曝光、顯影，形成凹槽，在填充銀漿時，銀漿殘留在保護層上，而非光刻膠上，能夠利用清洗液將保護層去除，避免手工擦拭，提高生產效率，提高產品性能和良率。

技術領域

本發明涉及導電膜技術領域，具體為一種納米銀導電膜及其制備方法。

背景技術

透明導電膜是一種既能導電又在可見光范圍內具有高透光率的一種薄膜，廣泛應用于液晶顯示、觸控面板和光伏器件等領域，具有廣闊的市場空間。由于傳統ITO薄膜不能用于可彎曲設備，同時又存在導電性差及透光率低等本質問題，眾廠商紛紛尋求ITO的替代品，目前在研發的包括納米銀線、金屬網格、碳納米管以及石墨烯等材料。從市場反應上來看，石墨烯處于研發階段，距離量產還有很遠的距離。碳納米管薄膜產品導電性還不能達到ITO薄膜的水平。金屬網格工業化量產技術尚未完善。納米銀導電膜發展快速且較為成熟，市場占有率逐年提升。

目前市面上的一些納米銀導電膜制造過程是先經過鹵化銀曝光、激光刻蝕或納米壓印等工藝在光刻膠上形成網格凹槽，然后通過壓印方式在凹槽圖案中填充納米導電銀漿，最后再對納米導電銀漿進行燒結。但是壓印銀漿的過程中，銀漿會殘留在光刻膠表面，一般都是采取手工擦拭的方法去清除。然而這種方法會造成產品表觀不良，破壞導電線路，降低產品良率。因此，我們提出一種納米銀導電膜及其制備方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種納米銀導電膜及其制備方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：一種納米銀導電膜的制備方法，包括以下步驟：

(1)涂布光刻膠：取基材，在其表面涂布光刻膠，形成光刻膠層，制得基材A；

(2)涂布保護層：在基材A的光刻膠層上涂布保護層材料，形成保護層，制得基材B；

(3)曝光：取基材B，照射紫外光進行曝光處理，制得基材C；

(4)顯影：取顯影液將基材C顯影處理，形成凹槽，制得基材D；

(5)制備導電網格：在基材D的凹槽中填充銀漿，燒結，形成導電網格，制得基材E；

(6)去除保護層：利用清洗液將步驟(5)中得到的基材E進行清洗，制得導電膜。

進一步的，包括以下步驟：

(1)涂布光刻膠：取基材，在其表面涂布負性光刻膠，形成光刻膠層，制得基材A；

(2)涂布保護層：在基材A的光刻膠層上涂布保護層材料，預烘烤，形成保護層，制得基材B；

(3)曝光：取基材B，照射紫外光進行曝光處理，制得基材C；

(4)顯影：取顯影液將基材C顯影處理，形成凹槽，后烘烤，制得基材D；

(5)制備導電網格：在基材D的凹槽中填充銀漿，燒結，形成導電網格，制得基材E；

(6)去除保護層：利用清洗液將步驟(5)中得到的基材E進行清洗，制得導電膜。

進一步的，所述保護層材料為聚甲基丙烯酸甲酯、有機硅樹脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯酸酯、聚乙烯中的一種或多種。

進一步的，所述清洗液為丙酮、二氯乙烷、氯仿、冰醋酸、甲苯中的一種或多種。