[發(fā)明專(zhuān)利]基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110470050.6
• 申請(qǐng)日: 2021-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113067144A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李藝萍;陳佳騰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安天安電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q1/42
• 分類(lèi)號(hào): H01Q1/42;H01Q1/52;H01Q3/34;H01Q21/00;H01Q1/36
• 代理公司: 西安泛想力專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 61260
• 代理人: 李思源

1.基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于，包括：天線子陣、收發(fā)電路板(3)、金屬散熱殼體(1)；

所述天線子陣由M×N個(gè)雙層寬帶微帶貼片輻射單元(4)組成；

所述收發(fā)電路板(3)與全部雙層寬帶微帶貼片輻射單元(4)層疊設(shè)置，采用多層混壓板結(jié)構(gòu)將相應(yīng)的M×N路收發(fā)通道、控制電源分配、功分合成網(wǎng)絡(luò)集成一體，其中，位于同一分區(qū)位置的多路收發(fā)通道集成在收發(fā)電路板(3)上的一片塑封硅基TR芯片(2)中，形成瓦片式結(jié)構(gòu)；

所述塑封硅基TR芯片(2)與金屬散熱殼體(1)之間設(shè)置有熱傳導(dǎo)金屬路徑。

2.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述M×N個(gè)雙層寬帶微帶貼片輻射單元(4)相應(yīng)通過(guò)M×N個(gè)絕緣子(7)與收發(fā)電路板(3)垂直互聯(lián)形成整體。

3.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片(2)下方的收發(fā)電路板(3)印制板上設(shè)置有多個(gè)銅漿填塞的過(guò)孔(6)，用于將塑封硅基TR芯片(2)工作產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至金屬散熱殼體(1)。

4.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片集成的功能模塊包括射頻開(kāi)關(guān)、平衡式功率放大器、限幅低噪聲放大器、6位數(shù)控移相器、6位數(shù)控衰減器和驅(qū)動(dòng)放大器；并集成了SPI調(diào)試接口、波控接口、電源調(diào)制接口。

5.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述收發(fā)電路板(3)上除了多片塑封硅基TR芯片(2)之外，還包括功分合成網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)字控制電路。

6.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述雙層寬帶微帶貼片輻射單元(4)共有16個(gè)，并組成4×4的天線子陣；相應(yīng)的，所述收發(fā)電路板上的塑封硅基TR芯片共有4片，每片硅基TR芯片有四路收發(fā)通道，能夠完成接收信號(hào)放大和相位幅度調(diào)整，并將發(fā)射信號(hào)移相放大輸出。

7.如權(quán)利要求6所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：所述塑封硅基TR芯片為工作在X波段的單片集成四通道TR芯片。

8.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：該基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣對(duì)外接口包括SMP連接器的射頻接口和J30J連接器的電源控制接口。

9.如權(quán)利要求1所述的基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣，其特征在于：該基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣的工作頻率為X波段，帶寬1GHz，波束掃描范圍：方位：±45°、俯仰：±45°。